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公开(公告)号：CN119997636A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202311475123.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CIS像素读出电路结构，SG和SF采用不同侧墙横向厚度，SG侧墙采用小横向厚度降低寄生电阻，SF侧墙采用大横向厚度降低GIDL电流。本发明的CIS像素读出电路结构，SF栅结构左右两端外侧均形成有漏端金属插塞，SF利用公用虚拟源端与SG源端相连，SF和SG构成T型组合紧凑结构，实现2个SF的等效并联，SF的等效宽度是2个SF前后宽度之和，有效降低了SG和SF共享有源区的寄生电阻，同时节省了空间面积。本发明还公开了一种CIS像素读出电路结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN119403155A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411546955.7
申请日：2024-10-31
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善中压器件沟道漏电的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，其至少包括中压器件区，且所述中压器件区的所述半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构之间的所述半导体衬底为有源区，其中，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述有源区的半导体衬底的表面；采用刻蚀工艺对所述浅沟槽隔离结构进行刻蚀以降低所述浅沟槽隔离结构的高度；对所述有源区进行回刻，且回刻后的所述有源区的表面低于刻蚀后浅沟槽隔离结构的表面；于所述有源区及所述浅沟槽隔离结构的表面形成氧化层；于所述氧化层的表面形成高介电材料层。通过本发明解决了现有的中压器件易漏电的问题。
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公开(公告)号：CN111312737B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202010212575.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种埋型三栅极鳍型垂直栅结构及制作方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；所述垂直栅下端为所述外延层穿透该垂直栅相互垂直的两个纵截面的结构。本发明在垂直栅极施加电压时可以在底部形成三个面的导通，形成上层利用垂直栅极大面积转移，底部FINFET快速转移的有效结合，有利于电子的有效和快速转移，从而提高光响应。
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公开(公告)号：CN111403393B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010213145.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。
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公开(公告)号：CN115274841A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210669459.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种可调高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔分布的第、二浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间形成有第一N型离子注入层，第二浅沟槽隔离的一侧形成有第一栅极、第一、二P型离子注入层；P阱上设有依次间隔分布的第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离，第三浅沟槽隔离和第四浅沟槽隔离间形成有第三P型离子注入层，第二N型离子注入层一部分横跨N阱和P阱，第二N型离子注入层另一部分位于P阱；第二P型离子注入层和第二N型离子注入层间设有第五浅沟槽隔离。本发明可以降低触发电压；提高维持电压；调整触发电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115050828A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210669575.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种高维持电压低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底,P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱上设有依次间隔的第一、二、三浅沟槽隔离，第一、二浅沟槽隔离间设有第一N型离子注入层，第三浅沟槽隔离的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二P型离子注入层；P型衬底上设有间隔的第四、五浅沟槽隔离，第四、五浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层，N阱上还设有栅极，栅极的一侧设有部分横跨N阱和P阱的第二N型离子注入层，第二N型离子注入层与第二P型离子注入层间设有第六浅沟槽隔离，栅极和第四浅沟槽隔离间设有第三N型离子注入层。本发明可以有效快速的达到所需要的低电容静电保护范围，同时降低抗闩锁能力。
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公开(公告)号：CN115472604B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210685009.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H10D89/60
Abstract: 本发明提供一种具有高维持电压、低触发电压的硅控整流器结构，包括P型衬底，P型衬底上形成有相邻的N阱和P阱；N阱与P型衬底交界处设有第一浅沟槽隔离，N阱上设有第二浅沟槽隔离，从第一浅沟槽隔离至第二浅沟槽隔离间的N阱依次形成有间隔设置的第一N型离子注入层和第一P型离子注入层；第一N型离子注入层上设有第一连接结构，用于引出阳极；P型衬底上形成有横跨N阱与P型衬底的交界处的第二P型离子注入层，第二浅沟槽隔离至第二P型离子注入层间的N阱上形成有栅极。本发明通过改变RC的值可以调控触发电压；具有较高的维持电压，并且通过改变过渡区的宽度来调控维持电压；具有更高的闩锁抗性。
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公开(公告)号：CN119403200A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411525151.9
申请日：2024-10-29
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种高压器件结构，结构包括：衬底，栅介质层，栅介质层形成于沟槽内，且沟槽形成于衬底内；高压P阱，高压P阱形成于衬底内；第一N型扩散区，第一N型扩散区形成于栅介质层的第一侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；第二N型扩散区，第二N型扩散区与第一N型扩散区有间隔，形成于栅介质层的第二侧面处的高压P阱内，并部分地延伸至栅介质层的下方；漏端，漏端形成于第一N型扩散区的表层中；源端，源端形成于第二N型扩散区的表层中；栅极材料层，栅极材料层形成于栅介质层的表面，其包括第一区域、第二区域及第三区域。通过本发明解决了现有的寄生晶体管易提前开启的问题。
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公开(公告)号：CN115036311B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210713440.6
申请日：2022-06-22
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种CMOS抗闩锁效应结构，NMOS和PMOS分别形成于高压P阱和高压N阱中。在高压P阱的周侧形成有N阱隔离圈，N阱隔离圈用于从P型半导体衬底隔离NMOS。在N阱隔离圈和高压N阱之间间隔有P阱。PMOS的P+源区、高压N阱、P阱和N阱隔离圈之间形成寄生SCR。在N阱隔离圈的顶部表面形成有肖特基二极管。肖特基二极管的金属电极接地。寄生SCR开启时产生闩锁效应，且寄生SCR开启时肖特基二极管会被反向击穿，寄生SCR开启时的维持电压会叠加肖特基二极管的反向击穿电压，从而能提升寄生SCR开启时的维持电压并从而提高CMOS电路的抗闩锁效应能力。
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公开(公告)号：CN118837697A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202310443085.X
申请日：2023-04-23
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高IO器件良率的测试方法，提供含MOS的器件，在MOS的栅极施加由小增大的第一栅电压，变化范围为‑2V至8V；在MOS的漏端施加0.05V的第一漏端电压；在MOS的栅极重新施加由小增大的第二栅电压，变化范围为‑2V至8V；在MOS的漏端重新施加8V的第二漏端电压；在MOS的漏端重新施加由小增大的第三漏端电压，变化范围为0V至14V；检测漏端的电流值随第三漏端电压的变化，漏端电流值为第一漏电流值；在MOS的漏端重新施加由小增大的第四漏端电压，步长为0.04V，变化范围为0V至14V；检测漏端电流值随第四漏端电压的变化，漏端电流值为第二漏电流值；当第四漏端电压与第三漏端电压的变化范围为大于8V且小于12V时，第二漏电流值小于第一漏电流值。
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