-
公开(公告)号：CN111312737B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202010212575.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种埋型三栅极鳍型垂直栅结构及制作方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；所述垂直栅下端为所述外延层穿透该垂直栅相互垂直的两个纵截面的结构。本发明在垂直栅极施加电压时可以在底部形成三个面的导通，形成上层利用垂直栅极大面积转移，底部FINFET快速转移的有效结合，有利于电子的有效和快速转移，从而提高光响应。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403393B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202010213145.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。
-
公开(公告)号：CN111463213A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010274119.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11531
Abstract: 本发明提供了一种非易失性闪存器件及其制备方法。上述非易失性闪存器件至少包括存储区域的存储单元，上述制备方法包括：提供衬底，对上述衬底定义上述非易失性闪存器件的存储区域；在对应上述存储区域的衬底上形成上述存储单元的堆叠栅极，上述堆叠栅极的顶部为上述存储单元的存储控制栅极；以填充在多个存储单元的堆叠栅极之间的流动性光刻胶为掩膜，刻蚀上述存储控制栅极以降低上述存储控制栅极的高度；以及去除上述流动性光刻胶。根据本发明所提供的制备方法所形成的非易失性闪存器件，其存储单元的控制栅极的高度交底，能够在有效存储单元栅极之间的层间绝缘层的填充质量的同时，保证存储单元的电特性能。
-
公开(公告)号：CN111403393A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010213145.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551
Abstract: 本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。
-
公开(公告)号：CN111312737A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010212575.5
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种埋型三栅极鳍型垂直栅结构及制作方法，位于外延层上的转移管以及该转移管一侧、外延层中的光电二极管；转移管的垂直栅伸入外延层中并延伸至光电二极管所在的深度；位于外延层上、转移管另一侧的复位管；该复位管栅极两侧的外延层中分别设有N+区；其中一个与转移管相邻的N+区域形成浮动扩散点；所述垂直栅下端为所述外延层穿透该垂直栅相互垂直的两个纵截面的结构。本发明在垂直栅极施加电压时可以在底部形成三个面的导通，形成上层利用垂直栅极大面积转移，底部FINFET快速转移的有效结合，有利于电子的有效和快速转移，从而提高光响应。
-
公开(公告)号：CN111463213B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202010274119.3
申请日：2020-04-09
Applicant: 上海华力集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种非易失性闪存器件及其制备方法。上述非易失性闪存器件至少包括存储区域的存储单元，上述制备方法包括：提供衬底，对上述衬底定义上述非易失性闪存器件的存储区域；在对应上述存储区域的衬底上形成上述存储单元的堆叠栅极，上述堆叠栅极的顶部为上述存储单元的存储控制栅极；以填充在多个存储单元的堆叠栅极之间的流动性光刻胶为掩膜，刻蚀上述存储控制栅极以降低上述存储控制栅极的高度；以及去除上述流动性光刻胶。根据本发明所提供的制备方法所形成的非易失性闪存器件，其存储单元的控制栅极的高度交底，能够在有效存储单元栅极之间的层间绝缘层的填充质量的同时，保证存储单元的电特性能。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.034 seconds)
