公开(公告)号：CN101466307A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021554.8

申请日：2007-06-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  尼普洛株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  井上晃 ,  吉田博

IPC: A61B5/145 ,  G01N22/00

CPC classification number: A61B5/0507 ,  A61B5/14532

Abstract: 本发明的测量受检物中包含的预定成分的浓度的系统的特征在于包括：将具有5GHz～300GHz的相互不同频率的电磁波朝向受检物振荡的振荡部；检测由受检物反射的多个电磁波的检测部；测量多个电磁波各自的反射系数和复介电常数中至少任一方，并根据所测出的多个电磁波的反射系数和复介电常数中至少任一方算出受检物中包含的预定成分的浓度的运算处理部。从而，可以精细地测量血液等流体受检物中包含的葡萄糖等的预定成分的浓度。

公开(公告)号：CN111052322A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094262.0

申请日：2017-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及的场效应晶体管具有：半导体基板；多个漏极电极，它们设置于半导体基板的第一面，在第一方向延伸；多个源极电极，它们与多个漏极电极彼此交替地排列；多个栅极电极，它们各自设置于多个源极电极和多个漏极电极之间；输入端子，其与多个栅极电极连接；输出端子，其与多个漏极电极连接；以及多个金属层，它们在半导体基板与第一面分离地设置，在与第一方向交叉的第二方向延伸，多个金属层包含第一金属层和第二金属层，该第二金属层比第一金属层长，从与第一面垂直的方向观察，相比于第一金属层，第二金属层与更多的漏极电极交叉，多个漏极电极中越是从输入端子至输出端子为止的线路长度短的漏极电极则在其正下方设置越多的金属层。

公开(公告)号：CN106098757B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201610281369.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野上洋一 ,  堀口健一 ,  东坂范雄 ,  渡边伸介 ,  北野俊明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/8124 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 得到一种场效应晶体管，该场效应晶体管能够有效地抑制由与高温RF动作时的本征载流子密度增大相伴的损耗增大所引起的RF特性变差。多个源极电极(6)及多个漏极电极(7)彼此交替地配置，与半导体衬底(1)的主面欧姆接合。多个栅极电极(8)分别配置在多个源极电极(6)和多个漏极电极(7)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。多个漏极电极(7)分别具有彼此被分割开的第1及第2部分(7a、7b)。漏极电极(7)的第1及第2部分(7a、7b)的合计电极宽度比一根源极电极(6)的宽度窄。肖特基电极(13)配置在漏极电极(7)的第1部分(7a)和第2部分(7b)之间，与半导体衬底(1)的主面肖特基接合。

公开(公告)号：CN101667829B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN200910159440.0

申请日：2009-06-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  后藤清毅 ,  塚原良洋 ,  金谷康

IPC: H03L7/00 ,  H04B1/00

CPC classification number: H03L7/099 ,  H03B5/1847

Abstract: 实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。

公开(公告)号：CN112753104B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201880095573.3

申请日：2018-10-03

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L29/41

Abstract: 本发明的场效应晶体管在半导体基板(1、2)的表面形成有栅极电极(3)、源极电极(4)以及漏极电极(5)。绝缘膜(6)在栅极电极(3)与漏极电极(5)之间的区域覆盖半导体基板(1、2)的表面。源极场板(7)形成于绝缘膜(6)之上，未与漏极电极(5)连接。二极管(8)的阴极与源极场板(7)连接，阳极为恒定电位。

公开(公告)号：CN107919856B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201710909111.8

申请日：2017-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介 ,  西泽弘一郎

IPC: H03F1/30 ,  H03F3/16

Abstract: 本发明涉及具有场效应晶体管的半导体装置，其目的在于得到能够抑制基板的面积的增加的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：晶体管，其设置于第1基板；栅极焊盘，其与该晶体管的栅极电极连接；导电性凸块，其设置于该栅极焊盘之上；第2基板，其设置于该第1基板的上方，具有第1面和第2面；第1电极，其从该第1面贯穿至该第2面，在该第2面侧与该导电性凸块连接；电阻，其一端连接于该第1电极的该第1面侧，另一端连接于输入端子；以及第2电极，其与该第1电极相邻设置在该第1面，以不经由该电阻的状态连接于该输入端子，该晶体管的栅极泄漏电流从该第1电极通过该第2基板的该母材及该第2电极而流动至该输入端子。

公开(公告)号：CN109863590A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201680090274.1

申请日：2016-10-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西泽弘一郎 ,  山本佳嗣 ,  宫胁胜巳 ,  渡边伸介 ,  志贺俊彦

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/06

Abstract: 本发明的半导体装置的特征在于，具备：基板；发热部，其形成于基板之上；盖基板，其在基板的上方以在盖基板与基板之间具有中空部的方式形成；以及反射膜，其在发热部的上方对红外线进行反射。反射膜对由于发热部的温度上升而经由中空部向盖基板侧辐射的红外线进行反射，从而具有抑制盖基板侧的温度上升的作用。由于该作用，即使在模塑树脂存在于盖基板之上的情况下，也产生抑制模塑树脂的温度上升的效果。

公开(公告)号：CN106356362A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610556805.3

申请日：2016-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0738 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5286

Abstract: 本发明得到一种晶体管，该晶体管能够抑制振荡，而不会发生性能的劣化、电阻的损伤。在半导体衬底(1)之上形成有多个栅极电极(2)、多个源极电极(3)及多个漏极电极(4)。漏极焊盘(7)形成于半导体衬底(1)之上，与多个漏极电极(4)连接。金属配线(10)形成于半导体衬底(1)之上，与漏极焊盘(7)分离并相邻，与漏极焊盘(7)平行地配置。接地焊盘(11)形成于半导体衬底(1)之上，与金属配线(10)的两端连接。

公开(公告)号：CN111052322B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201780094262.0

申请日：2017-09-01

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及的场效应晶体管具有：半导体基板；多个漏极电极，它们设置于半导体基板的第一面，在第一方向延伸；多个源极电极，它们与多个漏极电极彼此交替地排列；多个栅极电极，它们各自设置于多个源极电极和多个漏极电极之间；输入端子，其与多个栅极电极连接；输出端子，其与多个漏极电极连接；以及多个金属层，它们在半导体基板与第一面分离地设置，在与第一方向交叉的第二方向延伸，多个金属层包含第一金属层和第二金属层，该第二金属层比第一金属层长，从与第一面垂直的方向观察，相比于第一金属层，第二金属层与更多的漏极电极交叉，多个漏极电极中越是从输入端子至输出端子为止的线路长度短的漏极电极则在其正下方设置越多的金属层。

公开(公告)号：CN106356362B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201610556805.3

申请日：2016-07-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边伸介

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/0727 ,  H01L23/482 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0733 ,  H01L27/0738 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49175

Abstract: 本发明得到一种晶体管，该晶体管能够抑制振荡，而不会发生性能的劣化、电阻的损伤。在半导体衬底(1)之上形成有多个栅极电极(2)、多个源极电极(3)及多个漏极电极(4)。漏极焊盘(7)形成于半导体衬底(1)之上，与多个漏极电极(4)连接。金属配线(10)形成于半导体衬底(1)之上，与漏极焊盘(7)分离并相邻，与漏极焊盘(7)平行地配置。接地焊盘(11)形成于半导体衬底(1)之上，与金属配线(10)的两端连接。