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公开(公告)号：CN1467851A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03120161.X
申请日：2003-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L29/40117 , H01L29/792
Abstract: 非易失性半导体存储器的存储单元在隔着ONO膜(13)形成于硅衬底(1)上的硅层(3)上形成。存储单元具有在硅层(3)内形成的源区(4)和漏区(5)以及ONO膜(6)和栅电极(7)。ONO膜(6)和ONO膜(13)包括具有俘获电荷的电荷俘获部的氮化膜(6b，13b)。
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公开(公告)号：CN1192586A
公开(公告)日：1998-09-09
申请号：CN97122260.6
申请日：1997-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于,提供能消除阈值与扩散层泄漏的折衷关系、同时使栅氧化膜的形成无须分多次进行的半导体装置和制造方法。在N沟道型MOS晶体管T41～T43的栅电极4A～4C中,由于杂质剂量各自不同,所以杂质浓度也各不相同,在构成时使栅电极中的杂质浓度按预计的阈值较高的顺序依次减低。
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公开(公告)号：CN110709711A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880037477.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的电流检测装置(1)中，一个以上的磁屏蔽件(50a、50b、50c)的一个以上的第一板部分(51a、51b、51c)、一个以上的第二板部分(52a、52b、52c)以及一个以上的第三板部分(53a、53b、53c)与一个以上的突出部(36a、36b、36c)的侧面(30s)相对。一个以上的突出部(36a、36b、36c)、一个以上的磁场检测元件(40a、40b、40c)以及一个以上的导电部件(20a、20b、20c)分别被一个以上的磁屏蔽件(50a、50b、50c)所包围。因此，电流检测装置(1)小型且具有高电流检测精度。
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公开(公告)号：CN1162912C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN97122260.6
申请日：1997-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于，提供能消除阈值与扩散层泄漏的折衷关系、同时使栅氧化膜的形成无须分多次进行的半导体装置和制造方法。在N沟道型MOS晶体管T41～T43的栅电极4A～4C中，由于杂质剂量各自不同，所以杂质浓度也各不相同，在构成时使栅电极中的杂质浓度按预计的阈值较高的顺序依次减低。
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公开(公告)号：CN1198595A
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：CN98103876.X
申请日：1998-02-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/04 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L27/105 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/11546
Abstract: 提供在解决阈值和扩散层漏泄的折衷关系的同时没有必要分成几次形成栅氧化膜的半导体器件及其制造方法。栅电极4A～4C分别具备在栅氧化膜3的上部按顺序层叠的多晶硅层M1、WSi层L1、多晶硅层M1、WSi层L2、多晶硅层M1、WSi层L3,在栅电极4A～4C的下层的阱层101内分别形成沟道掺杂层103A～103C。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110709711B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201880037477.3
申请日：2018-02-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的电流检测装置(1)中，一个以上的磁屏蔽件(50a、50b、50c)的一个以上的第一板部分(51a、51b、51c)、一个以上的第二板部分(52a、52b、52c)以及一个以上的第三板部分(53a、53b、53c)与一个以上的突出部(36a、36b、36c)的侧面(30s)相对。一个以上的突出部(36a、36b、36c)、一个以上的磁场检测元件(40a、40b、40c)以及一个以上的导电部件(20a、20b、20c)分别被一个以上的磁屏蔽件(50a、50b、50c)所包围。因此，电流检测装置(1)小型且具有高电流检测精度。
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公开(公告)号：CN100401527C
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN98104394.1
申请日：1998-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/108 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11526 , H01L21/76218 , H01L21/8234 , H01L27/10873 , H01L27/10894 , H01L27/11546
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，既解决阈值和扩散层漏泄电流的权衡关系，又不必分几次形成栅极氧化膜。因N型沟道MOS晶体管T41～T43的栅极4A～4C中的氮的剂量各不相同，故氮导入区N1～N3的的氮的浓度也各不相同，阈值要求越高，栅极中的氮的浓度越高，按照该顺序来构成。
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公开(公告)号：CN111628662A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010090462.2
申请日：2020-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/00 , H02M7/5387 , H01F27/24 , H01F27/34 , G01R19/00
Abstract: 本发明获得一种功率转换装置，能抑制包含磁电转换元件和集磁芯体在内的电流传感器的测定误差。在功率转换装置(1)中，测定流过汇流条(2)的电流的电流传感器(4)包括：具有经由测定空间(43)彼此相对的第1端部(411)和第2端部(412)的集磁芯体(41)；以及具有配置于测定空间(43)的磁敏感部的磁电转换元件(42)。磁电转换元件(42)根据由磁敏感部感知到的磁场的大小产生信号。若将从汇流条(2)通过测定空间(43)并朝向集磁芯体(41)的外侧的方向设为集磁芯体(41)的芯体开口方向，则电抗器(3)中的漏磁场的方向成为与芯体开口方向不同的方向。
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公开(公告)号：CN1244157C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN03120161.X
申请日：2003-03-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L29/40117 , H01L29/792
Abstract: 非易失性半导体存储器的存储单元在隔着ONO膜(13)形成于硅衬底(1)上的硅层(3)上形成。存储单元具有在硅层(3)内形成的源区(4)和漏区(5)以及ONO膜(6)和栅电极(7)。ONO膜(6)和ONO膜(13)包括具有俘获电荷的电荷俘获部的氮化膜(6b，13b)。
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公开(公告)号：CN1438710A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02147249.1
申请日：2002-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/8616
Abstract: 本发明的课题是，提供包含具有接近于理想的二极管特性的电流电压特性的MISFET结构的二极管的半导体装置。在氧化硅膜4a～4c间的氮化硅膜4b中的漏区2一侧俘获负电荷(例如电子)8a。如果以这种方式俘获负电荷8a并感应沟道内电荷9a，则在漏、源间施加了偏置电压时，MISFET的沟道形成的阈值根据是正向偏置还是反向偏置而不同。即，在反向偏置时，沟道的形成是不充分的，难以流过源、漏间电流，另一方面，在正向偏置时，沟道被充分地形成，容易流过源、漏间电流。由此，可得到接近于理想二极管特性的电流电压特性。
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