公开(公告)号：CN1244157C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN03120161.X

申请日：2003-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加藤宏 ,  久家重博 ,  野田英行 ,  森下玄 ,  上野修一

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/792

Abstract: 非易失性半导体存储器的存储单元在隔着ONO膜(13)形成于硅衬底(1)上的硅层(3)上形成。存储单元具有在硅层(3)内形成的源区(4)和漏区(5)以及ONO膜(6)和栅电极(7)。ONO膜(6)和ONO膜(13)包括具有俘获电荷的电荷俘获部的氮化膜(6b，13b)。

公开(公告)号：CN1467851A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03120161.X

申请日：2003-03-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 加藤宏 ,  久家重博 ,  野田英行 ,  森下玄 ,  上野修一

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L29/78648 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/792

Abstract: 非易失性半导体存储器的存储单元在隔着ONO膜(13)形成于硅衬底(1)上的硅层(3)上形成。存储单元具有在硅层(3)内形成的源区(4)和漏区(5)以及ONO膜(6)和栅电极(7)。ONO膜(6)和ONO膜(13)包括具有俘获电荷的电荷俘获部的氮化膜(6b，13b)。