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公开(公告)号：CN1438710A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02147249.1
申请日：2002-10-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/8616
Abstract: 本发明的课题是，提供包含具有接近于理想的二极管特性的电流电压特性的MISFET结构的二极管的半导体装置。在氧化硅膜4a～4c间的氮化硅膜4b中的漏区2一侧俘获负电荷(例如电子)8a。如果以这种方式俘获负电荷8a并感应沟道内电荷9a，则在漏、源间施加了偏置电压时，MISFET的沟道形成的阈值根据是正向偏置还是反向偏置而不同。即，在反向偏置时，沟道的形成是不充分的，难以流过源、漏间电流，另一方面，在正向偏置时，沟道被充分地形成，容易流过源、漏间电流。由此，可得到接近于理想二极管特性的电流电压特性。
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