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公开(公告)号:CN116134342A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202180061951.8
申请日:2021-09-09
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01T1/161
Abstract: 本发明的课题在于提供与以往相比较改善了检测效率,进而通过改善检测效率而减少了放射线总量,其结果,减少偶发同时计数而提高了S/N值的信号处理系统、正电子放射断层摄影装置和正电子放射断层摄影方法。所述信号处理系统是基于从放射线探测器输出的电信号组而制作图像数据的信号处理系统,上述信号处理系统将上述电信号组识别为处理对象,上述电信号组包含满足以下的要件的电信号组的至少一部分:是与具有375keV以下的能量的伽马射线对应,且信号值在规定的范围的电信号组,上述规定的范围相对于100%的信号值为50%~80%,上述100%的信号值是指具有511keV的能量的伽马射线入射到放射线探测器的放射线检测元件并被上述放射线检测元件全部吸收时检测到的信号值。
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公开(公告)号:CN117120876A
公开(公告)日:2023-11-24
申请号:CN202280024971.2
申请日:2022-03-15
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明是一种闪烁体,具有由下述通式(1)表示的组成,至少含有La作为取代元素A,进一步含有活化剂元素B,上述活化剂元素B由Ce构成,闪烁体1摩尔中含有的上述取代元素A的合计摩尔含量为0.00001摩尔~0.05摩尔,该闪烁体具有钙钛矿型的晶体结构,该闪烁体的厚度为1.9mm时,波长800nm的光的直线透射率为30%以上。QMxO3y···(1)(上述通式(1)中,Q为选自Ca、Sr和Ba中的1种以上的元素;M为Hf;Q和M可以分别以20摩尔%以下的比例被其他元素取代;x和y分别满足0.5≤x≤1.5和0.7≤y≤1.5。)。
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公开(公告)号:CN102791475B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201180011941.X
申请日:2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层,提供包含透明导电膜层的层合体,该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜,提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层,该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜,在该缓冲层上形成有透明导电膜层,该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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公开(公告)号:CN102791475A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201180011941.X
申请日:2011-03-01
Applicant: 住友金属矿山株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C23C14/083 , C23C14/024 , C23C14/0676 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3471 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L33/42 , Y02E10/52 , Y10T428/265
Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层,提供包含透明导电膜层的层合体,该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜,提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层,该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜,在该缓冲层上形成有透明导电膜层,该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
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公开(公告)号:CN110225898A
公开(公告)日:2019-09-10
申请号:CN201880008416.4
申请日:2018-01-30
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C04B35/547 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/84 , G01N23/046 , G01T1/20
Abstract: 本发明提供光输出高的硫氧化钆烧结体。该课题通过下述硫氧化钆烧结体得以解决,该硫氧化钆烧结体中,410nm的透光率T410相对于512nm的透光率T512的比例(T410/T512)为0.31以上0.61以下,或者在XRD衍射图谱中在2θ=20~29°处出现的与硫氧化钆不同的相的衍射峰强度Iy相对于在2θ=30°±1°处出现的硫氧化钆的(102)或(011)的衍射峰强度Ix的比例(Iy/Ix)为0.1以下,含有选自由镨、铽以及铈组成的组中的1种以上的活化剂。
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