公开(公告)号：CN102791475A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011941.X

申请日：2011-03-01

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 秩父重英 ,  羽豆耕治 ,  中山德行 ,  田中明和

IPC: B32B9/00 ,  C23C14/06 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3471 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L33/42 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/265

Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN102791475B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180011941.X

申请日：2011-03-01

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 秩父重英 ,  羽豆耕治 ,  中山德行 ,  田中明和

IPC: B32B9/00 ,  C23C14/08 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: C23C14/083 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3471 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L33/42 ,  Y02E10/52 ,  Y10T428/265

Abstract: 通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN103052739B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180034602.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 福山博之 ,  安达正芳 ,  田中明和 ,  前田一夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种廉价且优质的氮化铝晶体的制造方法。在Ga-Al合金熔融液（4）中导入氮气，并在Ga-Al合金熔融液（4）中的籽晶衬底（3）上使氮化铝晶体外延生长。通过设定氮化铝晶体的培育温度在1000℃以上且1500℃以下的范围，使GaN分解为金属Ga和氮气。

公开(公告)号：CN103052739A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180034602.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 福山博之 ,  安达正芳 ,  田中明和 ,  前田一夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种廉价且优质的氮化铝晶体的制造方法。在Ga-Al合金熔融液（4）中导入氮气，并在Ga-Al合金熔融液（4）中的籽晶衬底（3）上使氮化铝晶体外延生长。通过设定氮化铝晶体的培育温度在1000℃以上且1500℃以下的范围，使GaN分解为金属Ga和氮气。

公开(公告)号：CN102084455A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980123381.X

申请日：2009-05-29

Applicant: NEC照明株式会社 ,  住友金属矿山株式会社

Inventor： 杉村俊和 ,  高桥辰也 ,  河西功 ,  森伸干 ,  田中明和

IPC: H01J61/067 ,  H01J9/02

CPC classification number: H01J61/0675 ,  H01J61/70

Abstract: 本发明涉及荧光灯电极、其生产方法以及荧光灯，提供了一种荧光灯电极，在被用作冷阴极荧光灯中的电极时具有优异的抗溅射性能并能够长时间保持优异的黑暗启动特性，还能够便宜地生产。本发明的荧光灯由于使用所述电极而具有更长寿命。所述电极是通过将从镧、铈、钇、钐、镨、铌、铕、钆中选择的一种或更多种稀土金属以沉淀硼化物相的形式分散在镍或镍合金基体中而制成的。