公开(公告)号：CN103052739B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201180034602.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 福山博之 ,  安达正芳 ,  田中明和 ,  前田一夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种廉价且优质的氮化铝晶体的制造方法。在Ga-Al合金熔融液（4）中导入氮气，并在Ga-Al合金熔融液（4）中的籽晶衬底（3）上使氮化铝晶体外延生长。通过设定氮化铝晶体的培育温度在1000℃以上且1500℃以下的范围，使GaN分解为金属Ga和氮气。

公开(公告)号：CN103052739A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201180034602.3

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友金属矿山株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 福山博之 ,  安达正芳 ,  田中明和 ,  前田一夫

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/12 ,  C30B9/06 ,  C30B9/10 ,  C30B19/04 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L33/007 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种廉价且优质的氮化铝晶体的制造方法。在Ga-Al合金熔融液（4）中导入氮气，并在Ga-Al合金熔融液（4）中的籽晶衬底（3）上使氮化铝晶体外延生长。通过设定氮化铝晶体的培育温度在1000℃以上且1500℃以下的范围，使GaN分解为金属Ga和氮气。

公开(公告)号：CN118632952A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019576.X

申请日：2023-02-20

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  同和控股(集团)有限公司

Inventor： 福山博之 ,  大塚诚 ,  安达正芳 ,  宫田麟太郎 ,  渡边康弘

IPC: C30B29/38 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02

Abstract: 提供：能廉价且连续地制造AlN单晶的AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置。一种AlN单晶的制造方法，其包括如下工序：熔液形成工序，将包含Al的合金加热、熔解，形成前述合金的熔液；和，析出工序，一边将熔液的一部分冷却而在熔液中设置温度梯度，一边使AlN单晶析出，析出工序中，使含氮气体与熔液内的高温部接触，且在熔液内的低温部保持单晶的AlN晶种或晶体生长用的基板，从而边持续进行高温部中的氮向熔液的掺入，边在低温部中使AlN单晶在AlN晶种或基板上析出，使AlN单晶连续地生长。