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公开(公告)号：CN114302861B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202080060722.X
申请日：2020-08-27
Abstract: 一种金属氧化物，其是由(Ca2‑xAx)(MnyAlzE2‑y‑z)wO5+δ(式中，A表示一种或两种以上的除Ca之外的碱土金属元素；E表示一种或两种以上的除Mn和Al之外的3d过渡金属元素或土金属元素；x、y、z、δ和w满足0≦x≦2、0
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公开(公告)号：CN116134342A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180061951.8
申请日：2021-09-09
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01T1/161
Abstract: 本发明的课题在于提供与以往相比较改善了检测效率，进而通过改善检测效率而减少了放射线总量，其结果，减少偶发同时计数而提高了S/N值的信号处理系统、正电子放射断层摄影装置和正电子放射断层摄影方法。所述信号处理系统是基于从放射线探测器输出的电信号组而制作图像数据的信号处理系统，上述信号处理系统将上述电信号组识别为处理对象，上述电信号组包含满足以下的要件的电信号组的至少一部分：是与具有375keV以下的能量的伽马射线对应，且信号值在规定的范围的电信号组，上述规定的范围相对于100％的信号值为50％～80％，上述100％的信号值是指具有511keV的能量的伽马射线入射到放射线探测器的放射线检测元件并被上述放射线检测元件全部吸收时检测到的信号值。
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公开(公告)号：CN102781833A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012160.2
申请日：2011-03-10
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/025 , C01B33/021 , F27D1/00 , F27D3/14
CPC classification number: C01B33/025 , F27B3/085 , F27B3/20
Abstract: 本发明的课题在于提供使用电弧炉的硅的制造方法，其可降低所制造的硅中的磷浓度。本发明所提供的硅的制造方法是通过对至少选自二氧化硅原料和碳材料、二氧化硅原料和碳化硅、以及硅原料中的任意之一的硅制造用原料在加热炉内进行加热来制造硅的方法，该方法的特征在于：其包括在加热炉内使用治具对该硅制造用原料和加热生成物的至少一方进行操作的工序；该治具具备弯曲强度为100MPa以上且熔点为硅的熔点以上的非金属材料部分，至少与1000℃以上的该硅制造用原料或该加热生成物接触的部分由该非金属材料部分构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114302861A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080060722.X
申请日：2020-08-27
Abstract: 一种金属氧化物，其是由(Ca2‑xAx)(MnyAlzE2‑y‑z)wO5+δ(式中，A表示一种或两种以上的除Ca之外的碱土金属元素；E表示一种或两种以上的除Mn和Al之外的3d过渡金属元素或土金属元素；x、y、z、δ和w满足0≦x≦2、0
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公开(公告)号：CN110225898A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201880008416.4
申请日：2018-01-30
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C04B35/547 , C09K11/00 , C09K11/08 , C09K11/84 , G01N23/046 , G01T1/20
Abstract: 本发明提供光输出高的硫氧化钆烧结体。该课题通过下述硫氧化钆烧结体得以解决，该硫氧化钆烧结体中，410nm的透光率T410相对于512nm的透光率T512的比例(T410/T512)为0.31以上0.61以下，或者在XRD衍射图谱中在2θ＝20～29°处出现的与硫氧化钆不同的相的衍射峰强度Iy相对于在2θ＝30°±1°处出现的硫氧化钆的(102)或(011)的衍射峰强度Ix的比例(Iy/Ix)为0.1以下，含有选自由镨、铽以及铈组成的组中的1种以上的活化剂。
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公开(公告)号：CN102917980A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180012994.3
申请日：2011-03-10
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/023 , C01B33/025
CPC classification number: C01B33/025 , C01B33/023
Abstract: 本发明提供硅的回收或制造方法，该方法以包含碳化硅磨粒和硅的切削屑作为原料，不对其进行分离就能够回收或制造硅。本发明提供硅的回收或制造方法，该方法为由硅锭或硅晶片在切削或磨削时产生的包含碳化硅的切屑来回收或制造硅的方法，该方法包括对该包含碳化硅的切屑和二氧化硅原料进行加热从而制造硅的工序。
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公开(公告)号：CN117120876A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280024971.2
申请日：2022-03-15
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明是一种闪烁体，具有由下述通式(1)表示的组成，至少含有La作为取代元素A，进一步含有活化剂元素B，上述活化剂元素B由Ce构成，闪烁体1摩尔中含有的上述取代元素A的合计摩尔含量为0.00001摩尔～0.05摩尔，该闪烁体具有钙钛矿型的晶体结构，该闪烁体的厚度为1.9mm时，波长800nm的光的直线透射率为30％以上。QMxO3y···(1)(上述通式(1)中，Q为选自Ca、Sr和Ba中的1种以上的元素；M为Hf；Q和M可以分别以20摩尔％以下的比例被其他元素取代；x和y分别满足0.5≤x≤1.5和0.7≤y≤1.5。)。
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公开(公告)号：CN102596805A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049547.0
申请日：2010-10-25
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C01B33/025 , F27B3/08 , F27B3/28 , F27D11/08 , H05B7/148
CPC classification number: C01B33/025 , F27D11/08 , H05B7/148 , Y02P10/256 , Y02P10/259
Abstract: 本发明涉及一种硅的制造方法或制造装置，该方法或装置是使用铁、铝、钙和钛的含量均为0.1质量％以下的二氧化硅原料和碳材料，利用电弧炉通过碳还原来制造硅的方法或装置，其特征在于，碳还原时，利用功率调节装置来缓和流入电弧炉的电极中的过电流，或者，将电弧炉的炉床功率密度PD(W/cm2)设为90(W/cm2)以上而运转电弧炉。
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