公开(公告)号：CN102596805A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049547.0

申请日：2010-10-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 山原圭二 ,  藤本博己 ,  片山利昭

IPC: C01B33/025 ,  F27B3/08 ,  F27B3/28 ,  F27D11/08 ,  H05B7/148

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D11/08 ,  H05B7/148 ,  Y02P10/256 ,  Y02P10/259

Abstract: 本发明涉及一种硅的制造方法或制造装置，该方法或装置是使用铁、铝、钙和钛的含量均为0.1质量％以下的二氧化硅原料和碳材料，利用电弧炉通过碳还原来制造硅的方法或装置，其特征在于，碳还原时，利用功率调节装置来缓和流入电弧炉的电极中的过电流，或者，将电弧炉的炉床功率密度PD(W/cm2)设为90(W/cm2)以上而运转电弧炉。