公开(公告)号：CN102781833A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180012160.2

申请日：2011-03-10

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 片山利昭 ,  山原圭二

IPC: C01B33/025 ,  C01B33/021 ,  F27D1/00 ,  F27D3/14

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27B3/085 ,  F27B3/20

Abstract: 本发明的课题在于提供使用电弧炉的硅的制造方法，其可降低所制造的硅中的磷浓度。本发明所提供的硅的制造方法是通过对至少选自二氧化硅原料和碳材料、二氧化硅原料和碳化硅、以及硅原料中的任意之一的硅制造用原料在加热炉内进行加热来制造硅的方法，该方法的特征在于：其包括在加热炉内使用治具对该硅制造用原料和加热生成物的至少一方进行操作的工序；该治具具备弯曲强度为100MPa以上且熔点为硅的熔点以上的非金属材料部分，至少与1000℃以上的该硅制造用原料或该加热生成物接触的部分由该非金属材料部分构成。

公开(公告)号：CN102596805A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080049547.0

申请日：2010-10-25

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 山原圭二 ,  藤本博己 ,  片山利昭

IPC: C01B33/025 ,  F27B3/08 ,  F27B3/28 ,  F27D11/08 ,  H05B7/148

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D11/08 ,  H05B7/148 ,  Y02P10/256 ,  Y02P10/259

Abstract: 本发明涉及一种硅的制造方法或制造装置，该方法或装置是使用铁、铝、钙和钛的含量均为0.1质量％以下的二氧化硅原料和碳材料，利用电弧炉通过碳还原来制造硅的方法或装置，其特征在于，碳还原时，利用功率调节装置来缓和流入电弧炉的电极中的过电流，或者，将电弧炉的炉床功率密度PD(W/cm2)设为90(W/cm2)以上而运转电弧炉。

公开(公告)号：CN110225898A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008416.4

申请日：2018-01-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 羽豆耕治 ,  山原圭二 ,  片山利昭

IPC: C04B35/547 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/84 ,  G01N23/046 ,  G01T1/20

Abstract: 本发明提供光输出高的硫氧化钆烧结体。该课题通过下述硫氧化钆烧结体得以解决，该硫氧化钆烧结体中，410nm的透光率T410相对于512nm的透光率T512的比例(T410/T512)为0.31以上0.61以下，或者在XRD衍射图谱中在2θ＝20～29°处出现的与硫氧化钆不同的相的衍射峰强度Iy相对于在2θ＝30°±1°处出现的硫氧化钆的(102)或(011)的衍射峰强度Ix的比例(Iy/Ix)为0.1以下，含有选自由镨、铽以及铈组成的组中的1种以上的活化剂。

公开(公告)号：CN102917980A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180012994.3

申请日：2011-03-10

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 山原圭二 ,  片山利昭 ,  桥口正 ,  白滨利基 ,  泽井毅

IPC: C01B33/023 ,  C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025 ,  C01B33/023

Abstract: 本发明提供硅的回收或制造方法，该方法以包含碳化硅磨粒和硅的切削屑作为原料，不对其进行分离就能够回收或制造硅。本发明提供硅的回收或制造方法，该方法为由硅锭或硅晶片在切削或磨削时产生的包含碳化硅的切屑来回收或制造硅的方法，该方法包括对该包含碳化硅的切屑和二氧化硅原料进行加热从而制造硅的工序。