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公开(公告)号：CN100530620C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610121409.4
申请日：2006-01-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种具有半导体芯片、电连接到半导体芯片的第一线圈、和电连接到第一线圈的第一电极的半导体装置，包括第二电极，第二电极可电连接到第一电极并且可在半导体装置外部电连接到第二线圈，其特征在于：通过电连接第二电极到第一电极和第二线圈，获得由第一线圈和第二线圈组成的电感。
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公开(公告)号：CN1893052A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610121409.4
申请日：2006-01-24
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种具有半导体芯片、电连接到半导体芯片的第一线圈、和电连接到第一线圈的第一电极的半导体装置，包括第二电极，第二电极可电连接到第一电极并且可在半导体装置外部电连接到第二线圈，其特征在于：通过电连接第二电极到第一电极和第二线圈，获得由第一线圈和第二线圈组成的电感。
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公开(公告)号：CN1848423B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200510121788.2
申请日：2005-12-21
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/645 , H01F2017/008 , H01F2017/0086 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12034 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，包括基板，固定地紧固到基板一侧上的半导体芯片，形成于基板的另一侧上并与半导体芯片电连接的螺旋状线圈，和为了稳定线圈的电感特性而形成于基板与半导体芯片面对的一侧表面上的导电图案。
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公开(公告)号：CN1848423A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510121788.2
申请日：2005-12-21
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/645 , H01F2017/008 , H01F2017/0086 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12034 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19106 , H01L2924/30107 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种半导体装置，包括基板，固定地紧固到基板一侧上的半导体芯片，形成于基板的另一侧上并与半导体芯片电连接的螺旋状线圈，和为了稳定线圈的电感特性而形成于基板与半导体芯片面对的一侧表面上的导电图案。
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公开(公告)号：CN1591787A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410061698.4
申请日：2004-06-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/301 , H01L21/304 , B24D5/00
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4842 , H01L21/561 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2221/68331 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种切削方法及其切削装置，可有效地除去毛刺。该切削方法用于切削半导体器件组的边界部而分离成各个半导体器件，其中，半导体器件组由将具有延展性的第一层和第二层叠层在周边侧的半导体器件排列多个而构成，该方法包括：切削工序，将第一旋转体从所述半导体器件组的边界部向所述第一和所述第二层的叠层方向移动，并切削所述第一和所述第二层；以及毛刺除去工序，将与所述第一旋转体相比为软质并且宽度在其同等以上的第二旋转体从所述半导体器件组的已被切削的边界部向所述叠层方向移动，以除去所述第一层中的毛刺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440499C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410061938.0
申请日：2004-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68331 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H05K3/3442 , H05K2201/09154 , H05K2201/10772 , H05K2201/10931 , Y02P70/613 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
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公开(公告)号：CN1574303A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045229.3
申请日：2004-06-04
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 三田清志
CPC classification number: H01L24/32 , H01L24/97 , H01L2224/16 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，其可防止热应力引起的破坏。本发明的半导体装置10A包括：支承衬底11；形成于支承衬底的表面及背面，由贯通部15连接的表面电极13及背面电极14；固定在支承衬底11的表面上，与表面电极13电连接的半导体元件16；密封半导体元件16的密封树脂18，形成在支承衬底11的背面设有槽12的结构。因此，可防止因热应力而在贯通部15和表面电极14的连接部位或贯通部15和背面电极14的连接部位产生裂纹。
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公开(公告)号：CN1301544C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410031870.1
申请日：2004-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
Inventor： 三田清志
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L23/3121 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2221/68377 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01078 , H01L2924/12042 , H01L2924/15183 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其提供连接可靠性优良的半导体装置，其包括：通过蚀刻除构成端子(12)的位置以外的第一导电箔(10)，在第一导电箔表面形成凸状地突起的端子部的工序；使树脂片(14)重叠在第一导电箔上，以埋入端子部的工序；通过将树脂层(15)作为下面，使背面形成有树脂层的第二导电箔(16)重叠在树脂片上，构成层积片(18)的工序；通过蚀刻第二导电箔形成导电图案(17)的工序；将导电图案和端子部电连接的工序；将端子部相互间电分离的工序；在层积片上固定半导体元件(22)，将半导体元件和导电图案电连接的工序；在层积片表面形成密封树脂(24)，以覆盖半导体元件的工序。
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公开(公告)号：CN1577827A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410061938.0
申请日：2004-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2221/68331 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H05K3/3426 , H05K3/3442 , H05K2201/09154 , H05K2201/10772 , H05K2201/10931 , Y02P70/613 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，可提高对熔接在外部端子上的接合材料的目视确认性。该半导体器件将半导体元件和与所述半导体元件电连接的电极通过具有绝缘性的密封材料进行密封，并使所述电极在介由接合材料与外部的安装基板接合的安装面的周围露出，所述电极在所述安装面通过所述接合材料接合于所述安装基板的状态下，从包围所述安装面的侧面一侧呈现可目视所述接合材料的形状。
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公开(公告)号：CN1574403A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410031869.9
申请日：2004-03-30
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L33/54 , H01L24/73 , H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L31/0203 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/12105 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/13055 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05169
Abstract: 一种光半导体装置及其制造方法，其可提高耐湿性等。本发明的光半导体装置(10A)包括：光半导体元件(11)，包含受光元件或发光元件的电路部(21)形成于其表面；端子部(17)，其设于所述光半导体元件(11)的背面，而且和所述电路部(21)电连接；被覆层(12)，其被覆所述光半导体元件(11)的表面而且由透明材料构成；密封树脂(16)，其被覆被覆层(12)及光半导体元件(11)的侧面。电路部(21)和端子部(17)也可以由再配线(15)连接。
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