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公开(公告)号：CN1825630A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610057698.6
申请日：2006-02-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 本发明涉及一种光电动势元件。在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
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公开(公告)号：CN100466299C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410029431.7
申请日：2004-03-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03762 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/076 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明提供一种光生伏打装置，设置有晶体系半导体，在所述晶体系半导体的表面上形成、实质上本征的第一非晶质半导体层，以及在所述第一非晶质半导体层的表面上形成的第一导电型的第二非晶质半导体层，在所述第一非晶质半导体层中有氢浓度的峰，由于由此能够增加第一非晶质半导体层中氢原子的量，所以通过该增加的氢原子与作为第一非晶质半导体层中的缺陷的硅原子的悬空键的结合，能够使该悬空键惰性化，由此提供输出特性提高的光生伏打装置。
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公开(公告)号：CN1841787A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610065964.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势元件，其具备第一导电型的晶体类半导体基板和第二导电型的半导体层，第一导电型的晶体类半导体基板具有第一主面和设置在上述第一主面的相反侧的第二主面，第二导电型的半导体层被设置在上述晶体类半导体基板的上述第一主面上；上述晶体类半导体基板被夹持在上述第一主面和上述第二主面之间、并具有由分割加工所形成的分割加工侧面，上述分割加工侧面由通过激光加工所形成的激光加工区域和通过切断加工所形成的切断加工区域构成，上述激光加工区域是未到达上述第二导电型的半导体层、从上述第二主面向上述第一主面侧延伸的区域。
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公开(公告)号：CN1442909A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03120662.X
申请日：2003-03-04
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/202 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种可以提高晶体硅类半导体和非晶体硅类半导体的界面特性，改善结合特性的光电转换装置。这种光电转换装置可以按照夹持着i型非晶体硅制薄层(12)的方式，叠层设置有n型单晶体硅制基板(11)和p型非晶体硅制薄层(13)，在单晶体硅制基板(11)的内面侧处还通过i型非晶体硅制薄层(14)，设置有n型非晶体硅制薄层(15)，而且在单晶体硅制基板(11)与i型非晶体硅制薄层(12)、(14)间的界面处，存在有其浓度比i型非晶体硅制薄层(12)、(14)中的氧原子浓度高的氧原子。
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公开(公告)号：CN102369601A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014742.X
申请日：2010-03-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供抑制不期望的杂质的混入，具有良好的太阳能电池特性的太阳能电池。该太阳能电池(100)包括：具有受光面和背面的半导体基板(10)；在半导体基板的背面上的规定区域形成的第一导电型的第一半导体层(12a)；从半导体基板的背面上跨越第一半导体层的表面上地形成的第二导电型的第二半导体层(13a)；和形成在上述第一半导体层与上述第二半导体层之间，实质上不含有第一导电型杂质的盖层(30)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100485974C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610065964.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势元件，其具备第一导电型的晶体类半导体基板和第二导电型的半导体层，第一导电型的晶体类半导体基板具有第一主面和设置在上述第一主面的相反侧的第二主面，第二导电型的半导体层被设置在上述晶体类半导体基板的上述第一主面上；上述晶体类半导体基板被夹持在上述第一主面和上述第二主面之间、并具有由分割加工所形成的分割加工侧面，上述分割加工侧面由通过激光加工所形成的激光加工区域和通过切断加工所形成的切断加工区域构成，上述激光加工区域是未到达上述第二导电型的半导体层、从上述第二主面向上述第一主面侧延伸的区域。
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公开(公告)号：CN100449792C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02157586.X
申请日：2002-11-29
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的目的在于提高结晶半导体与非晶态半导体薄膜的界面特性，改善结特性。一种光发电装置的制造方法，插入i型非晶态硅薄膜12来层叠n型单结晶硅基板11和p型非晶态硅薄膜13，并在单结晶硅基板11的背面侧插入i型非晶态硅层14来设置n型非晶态硅层15，使用氢气和含硼气体的混合气体，使单结晶硅基板11的表面等离子体放电，对单结晶硅基板11的表面实施等离子体处理后，形成i型非晶态硅层12，并在单结晶硅基板11与i型非晶态硅层12的界面上夹杂硼原子。
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公开(公告)号：CN101295639A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810091254.3
申请日：2008-04-23
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/20 , C23C16/44
CPC classification number: H01L31/1804 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/45557 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/022466 , H01L31/06 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。
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公开(公告)号：CN101290878A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810092532.7
申请日：2008-04-18
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/18 , C23C16/44 , C23C16/24
CPC classification number: H01L31/202 , C23C16/24 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45557 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/075 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能够抑制半导体膜的膜质不稳定的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：导入半导体的材料气体的工序；将材料气体的气氛压力调压至规定的压力的工序；在气氛压力被调压至规定的压力之后，将催化线加热至规定的温度以上的工序；和通过加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。
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公开(公告)号：CN102089891B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200980125259.6
申请日：2009-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , Y02E10/547 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池(10)，具有半导体基板(11)和形成在半导体基板(11)背面上的i型非晶半导体层(12)，其中，i型非晶半导体层(12)包括在平面视图中露出的露出部(12A)，和被p型非晶半导体层(13)和n型非晶半导体层(14)覆盖的被覆部(12B)。露出部(12A)的厚度T1比被覆部(12B)的厚度T2小。
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