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公开(公告)号:CN1298208A
公开(公告)日:2001-06-06
申请号:CN00130373.2
申请日:2000-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02164
Abstract: 一种光产生电力装置的制造方法,该装置是在具备绝缘表面的基板上设第一电极层、半导体光活性层及透明导电层,该制造方法依序包括如下步骤:(1)于基板形成第一电极层及半导体光活性层;(2)于绝缘表面形成透明导电膜;(3)将透光性保护膜配置在上述发电区域的之透明导电膜上;(4)照射紫外线激光,去除未以上述透光性保护膜遮罩部位的透明导电膜;(5)保留上述透光性保护膜。本发明可以使光产生电力装置的可靠性提高。
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公开(公告)号:CN102422434A
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN201080018626.5
申请日:2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池(100),具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。
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公开(公告)号:CN1182592C
公开(公告)日:2004-12-29
申请号:CN00130373.2
申请日:2000-11-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/02164
Abstract: 一种光产生电力装置的制造方法,该装置是在具备绝缘表面的基板上设第一电极层、半导体光活性层及透明导电层,该制造方法依序包括如下步骤:(1)于基板形成第一电极层及半导体光活性层;(2)于绝缘表面形成透明导电膜;(3)将透光性保护膜配置在上述发电区域的之透明导电膜上;(4)照射紫外线激光,去除未以上述透光性保护膜遮罩部位的透明导电膜;(5)保留上述透光性保护膜。本发明可以使光产生电力装置的可靠性提高。
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公开(公告)号:CN102422434B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201080018626.5
申请日:2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池(100),具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。
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公开(公告)号:CN102349166A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201080011200.7
申请日:2010-03-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022433 , H01L31/0682 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池(100)的制造方法,包括:将抗蚀剂膜(50)除去并将n型非晶质半导体层(12n)的一部分除去的工序。
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公开(公告)号:CN102334192A
公开(公告)日:2012-01-25
申请号:CN201080009223.4
申请日:2010-02-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在太阳能电池(100)的制造方法中,在i型非晶质半导体层(11i)和p型非晶质半导体层(11p)的图像化工序之后,i型非晶质半导体层(12i)的形成工序之前,具备n型结晶硅基板(10n)的背面中露出区域(R2)的清洗工序。
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