公开(公告)号：CN102422434A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080018626.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。

公开(公告)号：CN102422434B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201080018626.5

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池(100)，具备插入p型非晶质半导体层(11p)与n型非晶质半导体层(12n)之间的复合层R。

公开(公告)号：CN102349166A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011200.7

申请日：2010-03-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池(100)的制造方法，包括：将抗蚀剂膜(50)除去并将n型非晶质半导体层(12n)的一部分除去的工序。

公开(公告)号：CN102334192A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009223.4

申请日：2010-02-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 高滨豪 ,  小野雅义 ,  森博幸 ,  村上洋平

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 在太阳能电池(100)的制造方法中，在i型非晶质半导体层(11i)和p型非晶质半导体层(11p)的图像化工序之后，i型非晶质半导体层(12i)的形成工序之前，具备n型结晶硅基板(10n)的背面中露出区域(R2)的清洗工序。