公开(公告)号：CN1251210A

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN98803569.3

申请日：1998-03-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中井拓夫 ,  谷口裕幸 ,  家永照彦 ,  門永泰男

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法。光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后,对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀,做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分,通过本征非晶态硅层(2),在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形,并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。

公开(公告)号：CN1139997C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98803569.3

申请日：1998-03-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中井拓夫 ,  谷口裕幸 ,  家永照彦 ,  門永泰男

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法，光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后，对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀，做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分，通过本征非晶态硅层(2)，在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形，并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。

公开(公告)号：CN300824803D

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200730154597.6

申请日：2007-08-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Designer： 小野雅义 ,  高滨豪 ,  家永照彦 ,  柳浦聪生 ,  冈本真吾 ,  仲内淳 ,  中岛崇晓

Abstract: 左视图与右视图对称，故省略左视图；仰视图与俯视图对称，故省