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公开(公告)号：CN1251210A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN98803569.3
申请日：1998-03-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法。光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后,对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀,做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分,通过本征非晶态硅层(2),在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形,并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。
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公开(公告)号：CN1139997C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN98803569.3
申请日：1998-03-19
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法，光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后，对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀，做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分，通过本征非晶态硅层(2)，在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形，并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。
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公开(公告)号：CN103597604A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027090.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
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公开(公告)号：CN103597604B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280027090.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
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