-
公开(公告)号：CN103597604A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027090.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
-
公开(公告)号：CN103597604B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280027090.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 缩短制造太阳能电池所需要的时间。使用蚀刻液对结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）进行蚀刻，之后使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比使用上述蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）的蚀刻，从而在结晶硅基板（10B）的主面（10B1）、（10B2）形成纹理结构。
-
公开(公告)号：CN100536176C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710079127.7
申请日：2007-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/306 , C23F1/40
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。
-
公开(公告)号：CN101026201A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710079127.7
申请日：2007-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/306 , C23F1/40
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
