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公开(公告)号：CN1748445B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200480003538.2
申请日：2004-02-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 首先，在基板上形成多个有机EL元件。其次，在密封板下面(滤色镜一侧)的外周部上对密封剂进行成膜。接着，向密封板的中央部滴下密封剂。其后，在真空状态的真空腔室内，在预定压力下粘合密封板和基板，解除真空腔室内的真空状态。从真空腔室内取出基板以及密封板，根据各自的材料的硬化方法，对基板和密封板之间的密封剂进行硬化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1848478B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610058054.9
申请日：2006-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光元件，该元件在第一电极与第二电极之间设置有发光层，在第一电极侧设置有用于对从发光层所发出的光进行反射、并从第二电极侧射出的反射层，其特征在于，将从发光位置到反射层的光学距离设为L1，将从第二电极侧的元件端部的反射界面到反射层的光学距离设为L2，将欲取出的射出光的波长区域的中心波长设为λ时，则使L1为波长λ的光由干涉而相互增强的光学距离，使L2为波长λ的光由干涉而相互减弱的光学距离。
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公开(公告)号：CN1748445A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200480003538.2
申请日：2004-02-02
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H05B33/04 , H05B33/10
Abstract: 首先，在基板上形成多个有机EL元件。其次，在密封板下面(滤色镜一侧)的外周部上对密封剂进行成膜。接着，向密封板的中央部滴下密封剂。其后，在真空状态的真空腔室内，在预定压力下粘合密封板和基板，解除真空腔室内的真空状态。从真空腔室内取出基板以及密封板，根据各自的材料的硬化方法，对基板和密封板之间的密封剂进行硬化。
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公开(公告)号：CN100536176C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710079127.7
申请日：2007-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/306 , C23F1/40
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。
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公开(公告)号：CN101026201A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710079127.7
申请日：2007-02-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L21/306 , C23F1/40
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。
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公开(公告)号：CN1848478A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610058054.9
申请日：2006-02-28
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光元件，该元件在第一电极与第二电极之间设置有发光层，在第一电极侧设置有用于对从发光层所发出的光进行反射、并从第二电极侧射出的反射层，其特征在于，将从发光位置到反射层的光学距离设为L1，将从第二电极侧的元件端部的反射界面到反射层的光学距离设为L2，将欲取出的射出光的波长区域的中心波长设为λ时，则使L1为波长λ的光由干涉而相互增强的光学距离，使L2为波长λ的光由干涉而相互减弱的光学距离。
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