公开(公告)号：CN101521241B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910005135.6

申请日：2009-02-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田口干朗

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及的太阳能电池模块(100)包括形成在太阳能电池(10)的受光面与密封材料(4)之间并具有比密封材料(4)高的折射率的高折射率层(12)。高折射率层(12)具有设置在细线电极(30)(集电极)上并相对于受光面倾斜的一对第一倾斜面(12S、12S)。

公开(公告)号：CN101521241A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910005135.6

申请日：2009-02-01

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 田口干朗

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/052

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0543 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明涉及的太阳能电池模块(100)包括形成在太阳能电池(10)的受光面与密封材料(4)之间并具有比密封材料(4)高的折射率的高折射率层(12)。高折射率层(12)具有设置在细线电极(30)(集电极)上并相对于受光面倾斜的一对第一倾斜面(12S、12S)。

公开(公告)号：CN100536176C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200710079127.7

申请日：2007-02-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上广匡 ,  田口干朗 ,  吉村直记

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。

公开(公告)号：CN101026201A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710079127.7

申请日：2007-02-14

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上广匡 ,  田口干朗 ,  吉村直记

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  C23F1/40

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种凹凸基板的制造方法，将结晶系硅基板浸渍在碱性溶液中，对该基板的表面进行各向异性蚀刻，由此在该基板的表面形成凹凸结构，其特征在于：在碱性溶液中含有用以下通式(1)表示的添加剂，式中，X是羧基、磺酸基、硫酸酯基、磷酸酯基和季铵中的任一种，R1～R5是氢原子、烷基、烯基和烷氧基中的任一种，R1～R5中的至少一个的碳原子数为3以上。