公开(公告)号：CN1251210A

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN98803569.3

申请日：1998-03-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中井拓夫 ,  谷口裕幸 ,  家永照彦 ,  門永泰男

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法。光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后,对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀,做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分,通过本征非晶态硅层(2),在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形,并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。

公开(公告)号：CN1139997C

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN98803569.3

申请日：1998-03-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 中井拓夫 ,  谷口裕幸 ,  家永照彦 ,  門永泰男

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明揭示一种光电器件及其制造方法，光电器件将太阳光等的光能直接转变成电能。在n型单晶硅基板(1)的表面上形成多个凹凸部后，对基板(1)的表面上施行各向同性刻蚀，做成基板(1)表面凹凸部的圆形谷底(b)的部分，通过本征非晶态硅层(2)，在基板(1)的表面上设置p型非晶态硅层(3)。各向同性刻蚀后的表面形状为表面凹凸部的谷底的部分略带圆形，并在其上能沉积均匀膜厚的非晶态硅层。

公开(公告)号：CN85106598A

公开(公告)日：1987-03-18

申请号：CN85106598

申请日：1985-08-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 岸靖雄 ,  谷口裕幸

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明包括一种光生伏打器件及其制造方法，其中第一电极薄膜(12a、12b和12c)分别布置在基片(10)上，半导体光敏薄膜层(13)和第二电极薄膜(14)位于各第一电极薄膜上。通过腐蚀清除(13)的一部分，使相邻区域中的(12a)有部分显露，同时使第二电极薄膜(14a)与半导体光敏层(13a)的凹陷处接触部分(145a)显露，通过腐蚀将其清除，再用连接电极薄膜(6a)使(12a)的显露部分与(14a)进行电连接。