公开(公告)号：CN1770440A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106953.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 崔祐硕 ,  金重道 ,  金银熙 ,  李秀奉

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。

公开(公告)号：CN1744308A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510081825.1

申请日：2005-06-30

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 朴光石 ,  金重道

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种具有改进了的结构的倒装芯片半导体器件及其制造方法，其中，半导体芯片能够被更牢固地接合到引线框，同时防止二者之间的接触缺陷。此倒装芯片半导体器件包括：一侧上形成有多个电极焊点的半导体元芯片；形成在半导体芯片的电极焊点上的多个导电凸块；以及包括多个引线的引线框，引线端部被电连接到导电凸块，其中各个引线上至少形成有一个沟槽，且焊料镀层被提供在引线沟槽中及其周围并被熔化，以便紧固与导电凸块的连接。

公开(公告)号：CN100461390C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510081825.1

申请日：2005-06-30

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 朴光石 ,  金重道

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种具有改进了的结构的倒装芯片半导体器件及其制造方法，其中，半导体芯片能够被更牢固地接合到引线框，同时防止二者之间的接触缺陷。此倒装芯片半导体器件包括：一侧上形成有多个电极焊点的半导体元芯片；形成在半导体芯片的电极焊点上的多个导电凸块；以及包括多个引线的引线框，引线端部被电连接到导电凸块，其中各个引线上至少形成有一个沟槽，且焊料镀层被提供在引线沟槽中及其周围并被熔化，以便紧固与导电凸块的连接。

公开(公告)号：CN1770440B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510106953.7

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 崔祐硕 ,  金重道 ,  金银熙 ,  李秀奉

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。