公开(公告)号：CN1770440B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510106953.7

申请日：2005-09-29

申请人： 三星TECHWIN株式会社

发明人： 崔祐硕 ,  金重道 ,  金银熙 ,  李秀奉

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe-Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。

公开(公告)号：CN1770440A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510106953.7

申请日：2005-09-29

申请人： 三星TECHWIN株式会社

发明人： 崔祐硕 ,  金重道 ,  金银熙 ,  李秀奉

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请涉及半导体引线框及电镀方法，有半导体引线框的半导体封装。该方法包括：准备由Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底，并在该基底上镀覆晶粒尺寸小于1微米的镀层。通过使Sn镀层的晶粒尺寸最小化，可以抑制当在Fe－Ni合金(42号合金)形成的基底上形成Sn镀层时晶须的生长。