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公开(公告)号:CN112996224A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202010361791.6
申请日:2020-04-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明公开一种嵌有电子组件的基板,所述基板包括:芯结构,包括第一绝缘体和设置在所述第一绝缘体上或中的多个芯布线层,并且所述芯结构具有在所述基板的厚度方向上穿透所述第一绝缘体的至少一部分的腔并包括作为所述腔的底表面的阻挡层;以及电子组件,设置在所述腔中并附接到所述阻挡层,所述阻挡层的连接到所述电子组件的表面具有复合体,所述复合体包括金属材料、无机颗粒、填料和绝缘树脂中的至少两种。
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公开(公告)号:CN109727930A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201810578958.7
申请日:2018-06-07
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L23/642 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/44 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2224/96 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2924/182 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/37001
Abstract: 本公开提供一种扇出型半导体封装模块。扇出型半导体封装模块包括:封装结构,包括布线构件、一个或更多个第一无源组件和第一包封件,布线构件包括布线图案,一个或更多个第一无源组件设置在布线构件上并且电连接到布线图案,第一包封件包封一个或更多个第一无源组件中的每个的至少部分,封装结构具有贯穿布线构件和第一包封件的第一通孔;半导体芯片,设置在封装结构的第一通孔中并且具有其上设置有连接焊盘的有效表面和与有效表面背对的无效表面;第二包封件,包封半导体芯片的至少部分并且填充第一通孔的至少部分;及连接构件,设置在封装结构和半导体芯片的有效表面上,连接构件包括电连接到连接焊盘和布线图案的重新分布层。
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公开(公告)号:CN113013109B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202010448292.0
申请日:2020-05-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种嵌有电子组件的基板,所述嵌有电子组件的基板包括:芯结构,包括第一绝缘体和芯布线层,并且所述芯结构具有腔并具有设置为底表面的阻挡层;电子组件,设置在所述腔中并附接到所述阻挡层;以及堆积结构,包括第二绝缘体和堆积布线层,所述第二绝缘体覆盖所述芯结构和所述电子组件中的每个的至少一部分并填充所述腔的至少一部分,其中,所述阻挡层具有第一区域和第二区域,在所述第一区域中所述阻挡层的一个表面的一部分从所述第一绝缘体暴露,在所述第二区域中所述阻挡层的一个表面的其他部分被所述第一绝缘体覆盖,并且所述阻挡层的一个表面在所述第一区域中的表面粗糙度大于所述阻挡层的一个表面在所述第二区域中的表面粗糙度。
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公开(公告)号:CN112996224B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202010361791.6
申请日:2020-04-30
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明公开一种嵌有电子组件的基板,所述基板包括:芯结构,包括第一绝缘体和设置在所述第一绝缘体上或中的多个芯布线层,并且所述芯结构具有在所述基板的厚度方向上穿透所述第一绝缘体的至少一部分的腔并包括作为所述腔的底表面的阻挡层;以及电子组件,设置在所述腔中并附接到所述阻挡层,所述阻挡层的连接到所述电子组件的表面具有复合体,所述复合体包括金属材料、无机颗粒、填料和绝缘树脂中的至少两种。
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公开(公告)号:CN113013109A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN202010448292.0
申请日:2020-05-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种嵌有电子组件的基板,所述嵌有电子组件的基板包括:芯结构,包括第一绝缘体和芯布线层,并且所述芯结构具有腔并具有设置为底表面的阻挡层;电子组件,设置在所述腔中并附接到所述阻挡层;以及堆积结构,包括第二绝缘体和堆积布线层,所述第二绝缘体覆盖所述芯结构和所述电子组件中的每个的至少一部分并填充所述腔的至少一部分,其中,所述阻挡层具有第一区域和第二区域,在所述第一区域中所述阻挡层的一个表面的一部分从所述第一绝缘体暴露,在所述第二区域中所述阻挡层的一个表面的其他部分被所述第一绝缘体覆盖,并且所述阻挡层的一个表面在所述第一区域中的表面粗糙度大于所述阻挡层的一个表面在所述第二区域中的表面粗糙度。
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