倒装芯片发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN1858921A

    公开(公告)日:2006-11-08

    申请号:CN200610076901.4

    申请日:2006-04-25

    CPC classification number: H01L33/08 H01L33/32 H01L33/38 H01L2933/0016

    Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法,可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心,因此增强电流散布效应,从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括:在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层;蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域,并露出n型氮化物半导体层的多个区域,以形成多个台面;蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域,并露出n型氮化物半导体层的多个区域,以形成多个凹槽;在凹槽表面上形成绝缘层;越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层,形成p型电极;以及在形成的台面上形成n型电极。

    提供背光的发光二极管阵列组件及具有该组件的背光单元

    公开(公告)号:CN100381905C

    公开(公告)日:2008-04-16

    申请号:CN200410054437.X

    申请日:2004-07-22

    Abstract: 本发明提供用于提供背光的发光二极管(LED)阵列组件,其可以被用作带有整体封装的多个LED的、并且不论屏幕的尺寸可以普遍被使用的独立装置,以及具有同样构造的背光单元。所述LED阵列组件用作背光光源,包括:条形印刷电路板(PCB),其上形成有用于传送电力的导电图形;基座,形成在所述PCB上,并由导热材料制成;多个LED芯片,安装在所述基座上,排成行,并电连接到所述PCB的所述导电图形;反射体,围绕所述多个LED芯片形成,并用来反射从所述多个LED芯片向上发射的光;以及镜头,在所述多个LED芯片和反射体之上形成,呈条形,并用来漫射从所述多个LED芯片和反射体沿水平方向发射的光。

    提供背光的发光二极管阵列组件及具有该组件的背光单元

    公开(公告)号:CN1693960A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200410054437.X

    申请日:2004-07-22

    Abstract: 本发明提供用于提供背光的发光二极管(LED)阵列组件,其可以被用作带有整体封装的多个LED的、并且不论屏幕的尺寸可以普遍被使用的独立装置,以及具有同样构造的背光单元。所述LED阵列组件用作背光光源,包括:条形印刷电路板(PCB),其上形成有用于传送电力的导电图形;基座,形成在所述PCB上,并由导热材料制成;多个LED芯片,安装在所述基座上,排成行,并电连接到所述PCB的所述导电图形;反射体,围绕所述多个LED芯片形成,并用来反射从所述多个LED芯片向上发射的光;以及镜头,在所述多个LED芯片和反射体之上形成,呈条形,并用来漫射从所述多个LED芯片和反射体沿水平方向发射的光。

    倒装芯片发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:CN100435368C

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200610076901.4

    申请日:2006-04-25

    CPC classification number: H01L33/08 H01L33/32 H01L33/38 H01L2933/0016

    Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法,可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心,因此增强电流散布效应,从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括:在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层;蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的第一预定区域,并露出n型氮化物半导体层的多个第一区域,以形成多个第一凹槽;蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的位于形成的第一凹槽之间的第二预定区域,并露出n型氮化物半导体层的多个第二区域,以形成多个第二凹槽;在第二凹槽表面上形成绝缘层;在p型氮化物半导体层上部和在凹槽表面上形成的绝缘层上,形成p型电极;以及在形成的第一凹槽上形成n型电极。

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