公开(公告)号：CN100435368C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的第一预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第一区域，以形成多个第一凹槽；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的位于形成的第一凹槽之间的第二预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第二区域，以形成多个第二凹槽；在第二凹槽表面上形成绝缘层；在p型氮化物半导体层上部和在凹槽表面上形成的绝缘层上，形成p型电极；以及在形成的第一凹槽上形成n型电极。

公开(公告)号：CN1964091A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610150466.5

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高健维 ,  朴英豪 ,  闵垘基 ,  朴亨镇 ,  黄硕珉

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种抑制电流集中的高质量半导体发光器件。该半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。半导体发光器件还包括形成在p型半导体层上的p电极和形成在n型半导体层的台面蚀刻部分的表面上的n电极。在n型半导体层中形成沟槽以防止电流集中。沟槽以预定深度从n型半导体层的台面蚀刻部分的上表面或从衬底的下表面延伸至n型半导体层中。

公开(公告)号：CN1858921A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在凹槽表面上形成绝缘层；越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层，形成p型电极；以及在形成的台面上形成n型电极。

公开(公告)号：CN100423309C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200610150466.5

申请日：2006-10-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 高健维 ,  朴英豪 ,  闵垘基 ,  朴亨镇 ,  黄硕珉

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种抑制电流集中的高质量半导体发光器件。该半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、有源层和p型半导体层。半导体发光器件还包括形成在p型半导体层上的p电极和形成在n型半导体层的台面蚀刻部分的表面上的n电极。在n型半导体层中形成沟槽以防止电流集中。沟槽以预定深度从n型半导体层的台面蚀刻部分的上表面或从衬底的下表面延伸至n型半导体层中。

公开(公告)号：CN1630110A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410045338.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴英豪 ,  曹孝京 ,  柳承珍 ,  高建维

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/43 ,  H01L2924/01006

Abstract: 本发明公开了一种具有发光结构的氮化物半导体LED。在该发光结构中，n掺杂半导体层之上具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域，在n掺杂半导体层的第二区域上形成有源层，以及在有源层上形成p掺杂氮化物半导体层。在p掺杂半导体层上形成p电极。在n掺杂氮化物半导体层的第一区域上形成n电极。