倒装芯片氮化物半导体发光二极管

    公开(公告)号:CN100403560C

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200410059855.8

    申请日:2004-06-25

    Abstract: 本发明涉及氮化物半导体LED,其中在透明衬底上形成n掺杂的氮化物半导体层。在n掺杂的氮化物半导体层上形成有源层。在有源层上形成p掺杂的氮化物半导体层。在p掺杂的氮化物半导体层上形成网状结构的高反射率欧姆接触层,并且具有大量的开口区,用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层。在高反射率欧姆接触层的至少顶部区域上形成的金属阻挡层。在金属阻挡层上形成的p键合电极。在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极。

    倒装芯片氮化物半导体发光二极管

    公开(公告)号:CN1645634A

    公开(公告)日:2005-07-27

    申请号:CN200410059855.8

    申请日:2004-06-25

    Abstract: 本发明涉及氮化物半导体LED,其中在透明衬底上形成n掺杂的氮化物半导体层。在n掺杂的氮化物半导体层上形成有源层。在有源层上形成p掺杂的氮化物半导体层。在p掺杂的氮化物半导体层上形成网状结构的高反射率欧姆接触层,并且具有大量的开口区,用来暴露出p掺杂的氮化物半导体层。在高反射率欧姆接触层的至少顶部区域上形成的金属阻挡层。在金属阻挡层上形成的p键合电极。在n掺杂的氮化物半导体层上形成的n电极。

    白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块

    公开(公告)号:CN101840987A

    公开(公告)日:2010-09-22

    申请号:CN201010180341.3

    申请日:2008-03-25

    Abstract: 本发明提供了一种白光发射装置以及使用该白光发射装置的白光源模块。该白光发射装置包括:具有443至455nm的主波长的蓝色发光二极管芯片;设置在蓝色发光二极管芯片周围的红色磷光体,该红色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射红光;以及设置在蓝色发光二极管芯片周围的绿色磷光体,该绿色磷光体由蓝色发光二极管芯片激发以发射绿光,其中由红色磷光体发射的红光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.5448,0.4544)、(0.7079,0.2920)、(0.6427,0.2905)和(0.4794,0.4633)所限定的空间内,以及由绿色磷光体发射的绿光具有的色坐标落在由基于CIE 1931色度图的四个坐标点(0.1270,0.8037)、(0.4117,0.5861)、(0.4197,0.5316)和(0.2555,0.5030)所限定的空间内。

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