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公开(公告)号：CN114078877A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110906756.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：下结构，包括外围电路；堆叠结构，位于下结构上，从存储器单元阵列区域延伸到阶梯区域，并且包括在第一方向上布置在阶梯区域中的栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域；盖绝缘结构，位于堆叠结构上；以及分离结构，穿过栅极堆叠区域。堆叠结构包括交替且重复地堆叠的层间绝缘层和水平层，水平层包括栅极水平层和绝缘水平层，栅极堆叠区域包括栅极水平层，绝缘体堆叠区域中的每个包括绝缘水平层，在阶梯区域中，堆叠结构包括第一阶梯区域、连接阶梯区域和第二阶梯区域。
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公开(公告)号：CN111952312A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411506.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11521 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一半导体结构，包括基底和电路元件；和第二半导体结构，连接到第一半导体结构。第二半导体结构包括基体层、第一存储器单元结构、第二存储器单元结构以及在第一存储器单元结构与第二存储器单元结构之间的共位线。第一存储器单元结构包括第一栅电极、第一沟道结构和第一串选择沟道结构。第二存储器单元结构包括第二栅电极、第二沟道结构、第二串选择沟道结构以及在第二沟道结构与第二串选择沟道结构之间的连接区域。第一存储器单元结构还包括在共位线与第一串选择沟道结构之间的第一沟道垫，并且第二存储器单元结构还包括沿共位线延伸的第二沟道垫。
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公开(公告)号：CN119521670A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202410291660.3
申请日：2024-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及三维(3D)半导体存储器装置和电子系统。示例3D半导体存储器装置包括：包括单元阵列区域和连接区域的基底、其中多个介电层和多个栅电极交替地堆叠在基底上的结构、在连接区域上延伸穿过所述结构的多个虚设垂直结构、以及在连接区域上延伸穿过所述结构并连接到多个栅电极中的一个栅电极的栅极接触件。在平面图中，栅极接触件位于多个虚设垂直结构之间。栅极接触件包括第一部分和在多个虚设垂直结构之间延伸的多个第二部分。
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公开(公告)号：CN113013176A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011278401.5
申请日：2020-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11575 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括栅电极、沟道、第一导电贯穿过孔和绝缘结构。栅电极在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此间隔开，并且可以以阶梯形状堆叠。沟道沿第一方向延伸穿过栅电极。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的第一栅电极的导电垫并且与该导电垫电连接。第一导电贯穿过孔延伸穿过栅电极之中的在第一栅电极下的第二栅电极。绝缘结构形成在第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个的侧壁之间，并且使第一导电贯穿过孔与第二栅电极中的每个电绝缘。
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公开(公告)号：CN112802846B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202010794199.5
申请日：2020-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了垂直型非易失性存储器装置及其制造方法。所述垂直型非易失性存储器装置包括：基底，包括单元阵列区和延伸区，延伸区从单元阵列区沿第一方向延伸并且包括接触件；沟道结构，从基底沿竖直方向延伸；第一堆叠结构，包括沿着沟道结构的侧壁交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；多个划分区，沿第一方向延伸并且在垂直于第一方向的第二方向上划分单元阵列区和延伸区；在延伸区中，两个绝缘层坝布置在彼此相邻的两个划分区之间；第二堆叠结构，包括在所述两个绝缘层坝之间交替地堆叠在基底上的牺牲层和层间绝缘层；以及电极垫，连接到延伸区中的第一栅电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114068575A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110771959.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11524
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：下堆叠结构，在基底上具有下金属线；上堆叠结构，在下堆叠结构上具有上金属线；垂直结构，穿透上堆叠结构和下堆叠结构并且包括沟道层；第一切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构；上支撑件，位于第一切割线上的凹进中；第二切割线，穿过上堆叠结构和下堆叠结构并且与第一切割线间隔开；子切割线，穿过上堆叠结构，同时在竖直方向上与垂直结构至少部分地叠置，子切割线位于第一切割线与第二切割线之间，上支撑件的顶表面与子切割线的顶表面共面；以及第一层间绝缘层，围绕上支撑件和子切割线中的每个的侧壁。
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公开(公告)号：CN113497062A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110194102.1
申请日：2021-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括位于基底上的金属线，并且包括：最上面的金属线；半导体导线，位于最上面的金属线上；垂直结构，穿透半导体导线和金属线并且包括沟道膜，沟道膜包括上沟道膜、第一下沟道膜以及在半导体导线的底部与最上面的金属线的底部之间将上沟道膜和第一下沟道膜连接的上连接沟道膜；以及第一切割线，通过金属线和半导体导线，并且包括穿过半导体导线的第一上切割线和通过多条金属线的第一下切割线，第一上切割线的宽度比第一下切割线的侧壁的延伸线的宽度大。
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公开(公告)号：CN117896984A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202310698983.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。
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公开(公告)号：CN115472617A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210650009.1
申请日：2022-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L25/18
Abstract: 提供了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：单元单位，包括堆叠结构和穿过堆叠结构的沟道结构，堆叠结构位于基底上，堆叠结构包括至少一个串选择栅极和多个单元栅极；单元分隔结构，在第一方向上使单元单位分离；以及栅极切割结构，在相邻的单元分隔结构之间对单元单位内的区域进行限定。单元单位包括：第一区域，被限定在第一单元分隔结构与第一栅极切割结构之间；以及第二区域，被限定在第一栅极切割结构与第二栅极切割结构之间。所述至少一个串选择栅极在第二区域中由导电材料占据的区域的比率比至少一个单元栅极在第二区域中由导电材料占据的区域的比率大。
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公开(公告)号：CN114256264A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111105198.6
申请日：2021-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11519 , H01L27/11524 , H01L27/11582 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , G11C16/04 , G11C7/18 , G11C8/14
Abstract: 提供了半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括存储器单元区域。存储器单元区域包括：存储器堆叠结构，包括第一堆叠结构和第二堆叠结构；多个沟道结构，垂直地穿透存储器堆叠结构并且连接到第二基底；至少一个第一虚设结构；以及至少一个第二虚设结构。第一虚设结构的至少一部分在竖直方向上不与第二虚设结构叠置。
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