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发明公开
三维半导体存储器装置和包括其的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN119521670A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410291660.3

申请日：2024-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金贤智 , 张世熙 , 韩智勳

IPC: H10B41/35 , H10B41/41 , H10B41/27

Abstract: 本公开涉及三维(3D)半导体存储器装置和电子系统。示例3D半导体存储器装置包括：包括单元阵列区域和连接区域的基底、其中多个介电层和多个栅电极交替地堆叠在基底上的结构、在连接区域上延伸穿过所述结构的多个虚设垂直结构、以及在连接区域上延伸穿过所述结构并连接到多个栅电极中的一个栅电极的栅极接触件。在平面图中，栅极接触件位于多个虚设垂直结构之间。栅极接触件包括第一部分和在多个虚设垂直结构之间延伸的多个第二部分。

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