半导体器件及包括该半导体器件的数据存储系统

    公开(公告)号:CN114446992A

    公开(公告)日:2022-05-06

    申请号:CN202111280096.8

    申请日:2021-10-29

    Abstract: 一种半导体器件,包括:图案结构;堆叠结构,包括在所述图案结构上在第一区域中堆叠并延伸到第二区域中的栅极层;存储器竖直结构,在所述第一区域中穿透所述堆叠结构;栅极接触插塞,在所述第二区域中电连接到所述栅极层;以及第一外围接触插塞,与所述栅极层间隔开,所述栅极层包括第一栅极层,所述栅极接触插塞包括电连接到所述第一栅极层的第一栅极接触插塞,所述第一栅极接触插塞和所述第一外围接触插塞的侧表面具有不同数量的上弯曲部,并且所述第一栅极接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量大于所述第一外围接触插塞的侧表面的上弯曲部的数量。

    半导体装置和包括半导体装置的电子系统

    公开(公告)号:CN114078877A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110906756.2

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 公开了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括:下结构,包括外围电路;堆叠结构,位于下结构上,从存储器单元阵列区域延伸到阶梯区域,并且包括在第一方向上布置在阶梯区域中的栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域;盖绝缘结构,位于堆叠结构上;以及分离结构,穿过栅极堆叠区域。堆叠结构包括交替且重复地堆叠的层间绝缘层和水平层,水平层包括栅极水平层和绝缘水平层,栅极堆叠区域包括栅极水平层,绝缘体堆叠区域中的每个包括绝缘水平层,在阶梯区域中,堆叠结构包括第一阶梯区域、连接阶梯区域和第二阶梯区域。

    用于深度信息估计的方法和电子设备

    公开(公告)号:CN118037797A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202310825892.8

    申请日:2023-07-06

    Abstract: 公开了用于深度信息估计的方法和电子设备。所述方法包括:使用提供有第一深度图的模拟器生成第一模拟图像;基于第一深度图和第一模拟图像来训练人工神经网络模型;通过将实际图像输入到训练后的人工神经网络模型中来生成第二深度图;以及使用提供有第二深度图的模拟器来生成第二模拟图像。

    具有生物特征伪造考虑的方法和设备

    公开(公告)号:CN115223208A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210202886.2

    申请日:2022-03-03

    Abstract: 提供了具有生物特征伪造考虑的方法和设备。所述方法包括执行确定输入图像中的生物特征信息是否被伪造的机器学习模型的一个或多个卷积块,执行的步骤包括:使用所述一个或多个卷积块中的卷积块的卷积层,针对输入图像的输入特征图来生成包括多个通道的特征图;响应于所述卷积块的输入通道总数和所述卷积块的输出通道总数不同,通过使用跳跃连接结构将零填充通道添加到输入特征图来使所述卷积块的输入通道总数与所述卷积块的输出通道总数匹配;以及根据生成的特征图和跳跃连接结构的结果,生成用于确定生物特征信息是否被伪造的输出数据。

    半导体器件和包括其的数据存储系统

    公开(公告)号:CN114078878A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202110846247.5

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 提供了半导体器件和包括其的数据存储系统。半导体器件包括:第一衬底;有源电路或无源电路,位于所述第一衬底上;第二衬底,位于所述有源电路或无源电路上方;栅电极,在第一方向上彼此间隔开地堆叠在所述第二衬底上;沟道结构,穿过所述栅电极并且在所述第一方向上延伸,并且每个所述沟道结构包括沟道层;分隔区域,穿过所述栅电极并且在第二方向上延伸;贯穿接触插塞,在所述第一方向上延伸穿过所述第二衬底并且将所述栅电极和所述有源电路或无源电路彼此电连接;以及阻挡结构,与所述贯穿接触插塞间隔开并且包围所述贯穿接触插塞,并且具有第一区域和第二区域,所述第一区域均具有第一宽度,所述第二区域均具有大于所述第一宽度的第二宽度。

Patent Agency Ranking