公开(公告)号：CN104752431B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201410742816.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金国桓 ,  李锺镐 ,  金宇熙 ,  李来寅

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供了半导体器件。一种半导体器件包括具有第一区域至第四区域的衬底。而且，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层分别位于第一区域至第四区域上。在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的功函数控制材料的量、第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的氮浓度和/或第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层的厚度是变化的。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN104752431A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410742816.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金国桓 ,  李锺镐 ,  金宇熙 ,  李来寅

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了半导体器件。一种半导体器件包括具有第一区域至第四区域的衬底。而且，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层分别位于第一区域至第四区域上。在第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中，第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的功函数控制材料的量、第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层中的氮浓度和/或第一栅极绝缘层至第四栅极绝缘层的厚度是变化的。本发明还提供了用于制造半导体器件的方法。