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公开(公告)号：CN115312554A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210456435.1
申请日：2022-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素阵列区域；微透镜层，在像素阵列区域中位于基底上；第一钝化层，位于微透镜层上；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，微透镜层包括：第一透镜图案；第二透镜图案，位于第一透镜图案的一侧处；以及第一点，第一透镜图案与第二透镜图案在第一点处相交，并且第一钝化层和第二钝化层中的至少一者位于第一透镜图案、第二透镜图案和第一点上。
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公开(公告)号：CN114388542A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111030677.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括具有第一像素区和第二像素区的基板以及在基板的第一表面上的微透镜层。微透镜层包括在基板的第一像素区上的第一透镜图案以及在基板的第二像素区上的第二透镜图案。第一像素区的宽度大于第二像素区的宽度，并且第一透镜图案的高度大于第二透镜图案的高度。
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公开(公告)号：CN109087923A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810600349.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14607 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14605
Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
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公开(公告)号：CN1828868A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610007030.0
申请日：2006-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/146 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14687
Abstract: 本发明涉及具有改善的灵敏度的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：衬底，其具有有源像素区域，外围电路区域围绕所述有源像素区域；多个光转换元件，其设置在所述有源像素区域中，每个光转换元件配置为通过透镜和形成在多个层间电介质层之间的开口接收光，所述多个层间电介质层在所述衬底上形成于彼此之上；以及多个互连，其电连接到设置在所述有源像素区域内的所述光转换元件，其中所述透镜与所述光转换元件之间的距离短于所述衬底与所述外围电路区域中的顶层间电介质之间的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142448B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010614957.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L23/564 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器。图像传感器包括：基板，光电转换器件形成在其中；在基板上的互连结构，互连结构包括多个金属间电介质层和安置在多个金属间电介质层中的多个金属互连，互连结构限定相应于光电转换器件对准的槽；吸湿阻挡层，共形地形成在互连结构的顶部上以及在槽中；和光导单元，形成在吸湿阻挡层上并包括填充槽的透光材料，其中吸湿阻挡层在槽的底部和两个侧部上以及在多个金属间电介质层的顶表面上以均匀厚度形成。
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公开(公告)号：CN102142448A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010614957.7
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/378
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L23/564 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14632 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/48095 , H01L2224/48227 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器。图像传感器包括：基板，光电转换器件形成在其中；在基板上的互连结构，互连结构包括多个金属间电介质层和安置在多个金属间电介质层中的多个金属互连，互连结构限定相应于光电转换器件对准的槽；吸湿阻挡层，共形地形成在互连结构的顶部上以及在槽中；和光导单元，形成在吸湿阻挡层上并包括填充槽的透光材料，其中吸湿阻挡层在槽的底部和两个侧部上以及在多个金属间电介质层的顶表面上以均匀厚度形成。
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公开(公告)号：CN109087923B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810600349.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
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