公开(公告)号：CN118314937A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311168204.1

申请日：2023-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高旼奭 ,  郭在旭 ,  郑珉旭

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/24

Abstract: 提供一种操作存储控制器的方法。该方法包括：从主机接收写入请求；基于写入请求是否对应于节流禁用字线、以及与写入请求相对应的存储块是否需要被擦除，确定是否停用节流操作；以及基于该确定，执行与写入请求相对应的写入操作。

公开(公告)号：CN119028997A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410617117.8

申请日：2024-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  李承俊 ,  金政基 ,  宋充镐 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器和一种制造图像传感器的方法。该图像传感器包括半导体衬底，半导体衬底包括像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面。沟槽隔离层设置在穿透半导体衬底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将像素彼此分离。微透镜设置在第二表面上，其中，沟槽隔离层包括在从第一表面到第二表面的方向上延伸的第一导电隔离层。绝缘衬垫设置在第一导电隔离层与半导体衬底之间。第二导电隔离层在从第二表面到第一表面的方向上延伸，第二导电隔离层与第一导电隔离层接触。

公开(公告)号：CN117594616A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310328788.8

申请日：2023-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任周娟 ,  金成宽 ,  李准泽 ,  金杜镇 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器。所述图像传感器包括：基底，包括像素阵列区域和围绕像素阵列区域的光学黑色区域；微透镜，在像素阵列区域上方；虚设透镜，在光学黑色区域上方；以及阻挡条，在光学黑色区域上方。阻挡条的长度大于微透镜的长度和虚设透镜的长度。阻挡条的顶表面是弯曲的。

公开(公告)号：CN107039475B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201611152793.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李卿德 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

公开(公告)号：CN107039475A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611152793.4

申请日：2016-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李允基 ,  李卿德 ,  郑珉旭

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开涉及图像传感器。一种图像传感器包括包含彼此对立的第一表面和第二表面的半导体层。多个单元像素在半导体层中。单元像素中的每个包括第一光电转换器和第二光电转换器。像素隔离层使相邻的单元像素彼此隔离。第一器件隔离层在第一光电转换器和第二光电转换器之间。像素隔离层具有与第一器件隔离层不同的形状。

公开(公告)号：CN119815952A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411370443.X

申请日：2024-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 ,  宋永旭 ,  郑珉旭 ,  郑其好 ,  洪男冀

IPC: H10F39/18 ,  H04N25/40

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件，设置在包括第一表面和第二表面的衬底中；在衬底中的第一光电转换元件和第二光电转换元件；在衬底中的第一分离结构和第二分离结构；第一栅格结构和第二栅格结构，在第一分离结构和第二分离结构上。第二光电转换元件设置在第一分离结构和第二分离结构之间。第一栅格结构和第二栅格结构与第一分离结构和第二分离结构竖直地重叠。第一栅格结构包括气隙以及在气隙的外侧表面上的N个层。N个层中的每一层在第一方向上延伸。第二栅格结构包括在第二栅格结构的外侧表面上并且在第一方向上延伸的M个层。