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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115831986A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210915334.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器封装和包括该图像传感器封装的系统，该图像传感器封装包括：封装基底基板，具有从其上表面向内延伸的空腔，并包括多个上表面连接焊盘和多个下表面连接焊盘；在空腔中的图像传感器芯片，包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的芯片主体、位于芯片主体的第一表面中的传感器单元以及在传感器单元周围的多个芯片焊盘；滤光玻璃，在图像传感器芯片上方，并包括透明基板和在透明基板的下表面上的多个再分布图案；以及在所述多个再分布图案和所述多个芯片焊盘之间以及在所述多个再分布图案和所述多个上表面连接焊盘之间的多个连接端子。
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公开(公告)号：CN110875341A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN119028997A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410617117.8
申请日：2024-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器和一种制造图像传感器的方法。该图像传感器包括半导体衬底，半导体衬底包括像素、第一表面和与第一表面相对的第二表面。沟槽隔离层设置在穿透半导体衬底的第一表面和第二表面的沟槽中，并且将像素彼此分离。微透镜设置在第二表面上，其中，沟槽隔离层包括在从第一表面到第二表面的方向上延伸的第一导电隔离层。绝缘衬垫设置在第一导电隔离层与半导体衬底之间。第二导电隔离层在从第二表面到第一表面的方向上延伸，第二导电隔离层与第一导电隔离层接触。
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公开(公告)号：CN110875341B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910800437.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种图像传感器，该图像传感器包括：半导体基板，具有第一表面和第二表面；像素元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部并在半导体基板中限定多个有源像素；以及虚设元件隔离膜，延伸穿过半导体基板的内部，在平面图中沿有源像素的至少一侧延伸，并在半导体基板中限定多个虚设像素。像素元件隔离膜可以具有与第一表面基本上共面的第一端，并且在平行于第一表面的第一方向上具有第一宽度，虚设元件隔离膜具有与第一表面基本上共面的第一端，并且具有大于像素元件隔离膜的第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN108242450A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711372233.4
申请日：2017-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L23/544 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14687 , H01L27/14601 , H01L27/14683
Abstract: 本公开提供了图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括第一基板、阻挡结构、第一结构、第二基板和第二结构。第一基板包括其中设置单位像素的器件区域和围绕器件区域的第一剩余划片道区域。第一基板具有第一表面和第二表面。阻挡结构穿透第一剩余划片道区域中的第一基板。第一基板的第一表面在第一结构上。第二基板包括面对第一剩余划片道区域的第二剩余划片道区域。第二基板具有前表面和后表面。第二结构在第二基板的前表面上并面对第一基板的第一表面。第二结构被接合到第一结构。
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