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发明公开
包括栅格结构的图像传感器审中-公开

公开(公告)号：CN119815952A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411370443.X

申请日：2024-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳在相 , 宋永旭 , 郑珉旭 , 郑其好 , 洪男冀

IPC: H10F39/18 , H04N25/40

Abstract: 一种图像传感器包括：光电转换器件，设置在包括第一表面和第二表面的衬底中；在衬底中的第一光电转换元件和第二光电转换元件；在衬底中的第一分离结构和第二分离结构；第一栅格结构和第二栅格结构，在第一分离结构和第二分离结构上。第二光电转换元件设置在第一分离结构和第二分离结构之间。第一栅格结构和第二栅格结构与第一分离结构和第二分离结构竖直地重叠。第一栅格结构包括气隙以及在气隙的外侧表面上的N个层。N个层中的每一层在第一方向上延伸。第二栅格结构包括在第二栅格结构的外侧表面上并且在第一方向上延伸的M个层。

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