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公开(公告)号:CN102136486B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201010622415.4
申请日:2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/13
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括:半导体芯片,具有第一表面、第二表面和像素区域;第一粘合图案,设置在第一表面上;第二粘合图案,设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上;多个外部连接端子,设置在第二表面上,其中,第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。
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公开(公告)号:CN101325167B
公开(公告)日:2011-06-08
申请号:CN200810144670.5
申请日:2008-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13099 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13609 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0781 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/01007 , H01L2924/01028 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成扩散阻挡层,和在衬底上形成至少两个部件,从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质,衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质,所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区,所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区,从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。
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公开(公告)号:CN102136486A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201010622415.4
申请日:2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/13
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括:半导体芯片,具有第一表面、第二表面和像素区域;第一粘合图案,设置在第一表面上;第二粘合图案,设置在第一粘合图案和像素区域之间并设置在第一表面上;多个外部连接端子,设置在第二表面上,其中,第二粘合图案和外部连接端子设置为彼此叠置。
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公开(公告)号:CN101355069A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810161102.6
申请日:2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L21/60 , H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/01077 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体封装中,电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。
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公开(公告)号:CN101325167A
公开(公告)日:2008-12-17
申请号:CN200810144670.5
申请日:2008-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/482
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3114 , H01L24/11 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11901 , H01L2224/11912 , H01L2224/13099 , H01L2224/13155 , H01L2224/13562 , H01L2224/13609 , H01L2224/16 , H01L2224/32225 , H01L2224/83101 , H01L2224/838 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/0781 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/01007 , H01L2924/01028 , H01L2224/29099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造具有均匀涂层厚度的半导体器件的方法及相关器件。一种制造半导体器件的方法,包括:在衬底上形成扩散阻挡层,和在衬底上形成至少两个部件,从而扩散阻挡层分别设置在每个部件和衬底之间并接触所述至少两个部件。衬底的第一杂质区含有第一类型杂质,衬底的第二杂质区含有不同于第一类型的第二类型杂质,所述至少两个部件中的第一部件位于第一杂质区,所述至少两个部件中的第二部件位于第二杂质区,从而通过不同杂质区第二部件与第一部件电隔离。
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