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公开(公告)号：CN102354519B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110219876.1
申请日：2011-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/00 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/481 , G11C5/06 , G11C8/18 , H01L22/32 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/17051 , H01L2224/17515 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01055 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维(3D)半导体器件包括芯片的层叠，该芯片包括一个主芯片与一个或多个从芯片。从芯片的I/O连接部不需连接到母板上的通路，仅主芯片的电极焊盘可连接到所述通路。仅该主芯片可提供负载到所述通路。硅贯通孔(TSV)界面可配置在半导体器件的数据输入路径、数据输出路径、地址/命令路径、以及时钟路径上，其中在该半导体器件中相同类型的半导体芯片相层叠。
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公开(公告)号：CN101777387A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910261962.1
申请日：2005-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
CPC classification number: G11C29/812 , G11C29/785 , G11C29/787
Abstract: 一种冗余程序电路及其方法。该冗余程序电路包括：具有主熔丝的主熔丝部分，其输出指示主熔丝工作状态的工作使能信号；包括至少一个控制熔丝的至少一个控制熔丝部分，该至少一个控制熔丝部分输出该至少一个控制熔丝的工作状态指示；以及多路复用单元，配置成基于所述工作状态指示和工作使能信号中的至少一个而多路复用解码地址的信号比特。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1755837A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510092332.8
申请日：2005-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/812 , G11C29/785 , G11C29/787
Abstract: 一种冗余程序电路及其方法。该冗余程序电路包括：具有主熔丝的主熔丝部分，其输出指示主熔丝工作状态的工作使能信号；包括至少一个控制熔丝的至少一个控制熔丝部分，该至少一个控制熔丝部分输出该至少一个控制熔丝的工作状态指示；以及多路复用单元，配置成基于所述工作状态指示和工作使能信号中的至少一个而多路复用解码地址的信号比特。
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公开(公告)号：CN102354519A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110219876.1
申请日：2011-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/00 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/481 , G11C5/06 , G11C8/18 , H01L22/32 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/0557 , H01L2224/05572 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/17051 , H01L2224/17515 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06596 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01055 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维(3D)半导体器件包括芯片的层叠，该芯片包括一个主芯片与一个或多个从芯片。从芯片的I/O连接部不需连接到母板上的通路，仅主芯片的电极焊盘可连接到所述通路。仅该主芯片可提供负载到所述通路。硅贯通孔(TSV)界面可配置在半导体器件的数据输入路径、数据输出路径、地址/命令路径、以及时钟路径上，其中在该半导体器件中相同类型的半导体芯片相层叠。
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公开(公告)号：CN1755837B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200510092332.8
申请日：2005-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/812 , G11C29/785 , G11C29/787
Abstract: 一种冗余程序电路及其方法。该冗余程序电路包括：具有主熔丝的主熔丝部分，其输出指示主熔丝工作状态的工作使能信号；包括至少一个控制熔丝的至少一个控制熔丝部分，该至少一个控制熔丝部分输出该至少一个控制熔丝的工作状态指示；以及多路复用单元，配置成基于所述工作状态指示和工作使能信号中的至少一个而多路复用解码地址的信号比特。
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公开(公告)号：CN102467971B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110361944.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/525
CPC classification number: H01L27/101 , G11C17/14 , G11C17/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。
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公开(公告)号：CN102467971A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110361944.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/525
CPC classification number: H01L27/101 , G11C17/14 , G11C17/18 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种包括熔丝的半导体器件以及操作其的方法。半导体器件包括熔丝阵列、第一寄存器单元以及第二寄存器单元。熔丝阵列包括多个行和列；第一寄存器单元从熔丝阵列接收至少一行的熔丝数据。至少一行的熔丝数据的熔丝数据通过第一寄存器单元并行接收。第二寄存器单元从第一寄存器单元一次至少一位地接收熔丝数据。
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