公开(公告)号：CN118804588A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311664893.5

申请日：2023-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严泰荣 ,  高炯旻 ,  裵宝莲

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区，所述存储单元区包括单元中心区和围绕所述单元中心区的单元边缘区；在所述单元中心区上的第一位线；在所述第一位线上的第一着陆焊盘；在所述第一位线与所述第一着陆焊盘之间的第一位线封盖图案；在所述单元边缘区上的第二位线；在所述第二位线上的第二着陆焊盘；以及在所述第二位线与所述第二着陆焊盘之间的第二位线封盖图案。所述第一位线封盖图案与所述第一着陆焊盘垂直交叠。所述第二位线封盖图案与所述第二着陆焊盘垂直交叠。从所述第一位线封盖图案的上表面到所述第一着陆焊盘的上表面的第一距离大于从所述第二位线封盖图案的上表面到所述第二着陆焊盘的上表面的第二距离。

公开(公告)号：CN104124188B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410173244.X

申请日：2014-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔和燮 ,  张有成 ,  严泰荣 ,  李智镐

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T279/11 ,  Y10T279/21

Abstract: 本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上，从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面，该表面具有等于或大于40％的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用，并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像，该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。

公开(公告)号：CN118413991A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410120759.7

申请日：2024-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严泰荣 ,  裴成训 ,  卢何林 ,  申喜澈

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其具有由器件分离层限定的有源区域；位于衬底上的多条位线；掩埋接触件，其在多条位线中的相邻的位线之间设置衬底上，并连接到有源区域；中间导电层，其设置在掩埋接触件上；着陆焊盘，其设置在中间导电层上；以及绝缘图案，其位于着陆焊盘的侧壁上，并接触中间导电层的顶表面的至少一部分。

公开(公告)号：CN104124188A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410173244.X

申请日：2014-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔和燮 ,  张有成 ,  严泰荣 ,  李智镐

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L33/00 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L21/681 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T279/11 ,  Y10T279/21

Abstract: 本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上，从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面，该表面具有等于或大于40％的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷，该铝氧化物具有等于或大于95％的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用，并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像，该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。