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公开(公告)号:CN104124188B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201410173244.X
申请日:2014-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L33/00 , B28D5/00
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T279/11 , Y10T279/21
Abstract: 本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上,从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面,该表面具有等于或大于40%的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷,该铝氧化物具有等于或大于95%的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用,并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像,该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。
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公开(公告)号:CN104124188A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410173244.X
申请日:2014-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L33/00 , B28D5/00
CPC classification number: H01L21/681 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T279/11 , Y10T279/21
Abstract: 本发明提供了切割晶片的设备和方法、晶片吸盘、制造发光器件的方法。晶片吸盘将晶片保持在其表面上,从而晶片的图像能够由被晶片吸盘的表面反射的光形成。晶片吸盘的表面为平坦表面,该表面具有等于或大于40%的反射率和/或等于或大于90的白度指数值。晶片吸盘可以包括含有铝氧化物的陶瓷,该铝氧化物具有等于或大于95%的纯度。晶片吸盘的平坦表面使得照射晶片吸盘的表面的光被晶片吸盘的表面反射穿过晶片。晶片吸盘可以与用于切割晶片的设备一起使用,并且由该表面反射的光可以用于形成晶片的图像,该晶片的图像用于识别晶片上的切割线。
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