公开(公告)号：CN118804588A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311664893.5

申请日：2023-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严泰荣 ,  高炯旻 ,  裵宝莲

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区，所述存储单元区包括单元中心区和围绕所述单元中心区的单元边缘区；在所述单元中心区上的第一位线；在所述第一位线上的第一着陆焊盘；在所述第一位线与所述第一着陆焊盘之间的第一位线封盖图案；在所述单元边缘区上的第二位线；在所述第二位线上的第二着陆焊盘；以及在所述第二位线与所述第二着陆焊盘之间的第二位线封盖图案。所述第一位线封盖图案与所述第一着陆焊盘垂直交叠。所述第二位线封盖图案与所述第二着陆焊盘垂直交叠。从所述第一位线封盖图案的上表面到所述第一着陆焊盘的上表面的第一距离大于从所述第二位线封盖图案的上表面到所述第二着陆焊盘的上表面的第二距离。

公开(公告)号：CN120076317A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202411206062.8

申请日：2024-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵成训 ,  高承甫 ,  高炯旻 ,  金恩娥

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；外围栅极结构，包括外围栅极电介质层、位于外围栅极电介质层上的外围栅电极、位于外围栅电极两侧的外围源极/漏极、以及位于外围栅电极上的外围栅极覆盖图案；第一外围层间绝缘层，位于外围栅极结构的侧面；外围互连件，位于第一外围层间绝缘层和外围栅极结构上；绝缘图案层，位于外围互连件上；连接结构，包括焊盘图案和第一外围接触插塞，该第一外围接触插塞穿透绝缘图案层并且将焊盘图案电连接到外围互连件；以及保护环结构，在单元阵列区域与外围电路区域之间围绕单元阵列区域。保护环结构的保护环的一部分与第一外围接触插塞的一部分处于同一高度。