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公开(公告)号：CN118804588A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311664893.5
申请日：2023-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括存储单元区，所述存储单元区包括单元中心区和围绕所述单元中心区的单元边缘区；在所述单元中心区上的第一位线；在所述第一位线上的第一着陆焊盘；在所述第一位线与所述第一着陆焊盘之间的第一位线封盖图案；在所述单元边缘区上的第二位线；在所述第二位线上的第二着陆焊盘；以及在所述第二位线与所述第二着陆焊盘之间的第二位线封盖图案。所述第一位线封盖图案与所述第一着陆焊盘垂直交叠。所述第二位线封盖图案与所述第二着陆焊盘垂直交叠。从所述第一位线封盖图案的上表面到所述第一着陆焊盘的上表面的第一距离大于从所述第二位线封盖图案的上表面到所述第二着陆焊盘的上表面的第二距离。
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