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公开(公告)号：CN120076317A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202411206062.8
申请日：2024-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元阵列区域和外围电路区域；外围栅极结构，包括外围栅极电介质层、位于外围栅极电介质层上的外围栅电极、位于外围栅电极两侧的外围源极/漏极、以及位于外围栅电极上的外围栅极覆盖图案；第一外围层间绝缘层，位于外围栅极结构的侧面；外围互连件，位于第一外围层间绝缘层和外围栅极结构上；绝缘图案层，位于外围互连件上；连接结构，包括焊盘图案和第一外围接触插塞，该第一外围接触插塞穿透绝缘图案层并且将焊盘图案电连接到外围互连件；以及保护环结构，在单元阵列区域与外围电路区域之间围绕单元阵列区域。保护环结构的保护环的一部分与第一外围接触插塞的一部分处于同一高度。
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