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公开(公告)号：CN118413991A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410120759.7
申请日：2024-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 严泰荣 , 裴成训 , 卢何林 , 申喜澈
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其具有由器件分离层限定的有源区域；位于衬底上的多条位线；掩埋接触件，其在多条位线中的相邻的位线之间设置衬底上，并连接到有源区域；中间导电层，其设置在掩埋接触件上；着陆焊盘，其设置在中间导电层上；以及绝缘图案，其位于着陆焊盘的侧壁上，并接触中间导电层的顶表面的至少一部分。
