-
公开(公告)号：CN111183508A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201880065146.0
申请日：2018-11-07
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 布线结构(10)具备玻璃基板(11)、设置于玻璃基板(11)上的中间层(12)和设置于中间层(12)上的布线层(13)。布线层(13)包含铜。中间层(12)包含锆、并且剩余部分包含铜及不可避免的杂质。相对于中间层(12)中包含的铜及锆的合计摩尔数，锆的摩尔数的比例为5摩尔％以上且33摩尔％以下。中间层(12)进一步含有硅是适宜的。在布线层(13)上具备绝缘层(15)也是适宜的。
-
公开(公告)号：CN110024090A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201880004475.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本申请的配线结构(10)具备基板(11)、设置于基板(11)上的配线层(12)和设置于配线层(12)上的金属层(14)。配线层(12)包含铜。金属层(14)包含锆和硅，并且剩余部分由铜和不可避免的杂质构成。金属层(14)优选相对于铜、锆和硅的摩尔数的合计包含1摩尔％～33摩尔％的锆，并且包含1摩尔％～33摩尔％的硅。另外，在金属层(14)中，锆和硅的摩尔数的合计相对于上述合计优选为2摩尔％～40摩尔％。
-
公开(公告)号：CN119563107A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202380054254.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 德地成纪
IPC: G01N27/416 , G01N27/414
Abstract: 本发明的课题在于提供氢氧化物离子浓度的测定装置以及测定方法，能够以高精度、容易且迅速地测定氢氧化物离子浓度，并且能够较廉价地进行测定。本发明的解决手段具有绝缘基板、至少一个绝缘复合层、以及能保持含离子液体的储液部，绝缘复合层具有一对电极、以及与该一对电极接触的半导体层，在绝缘复合层与储液部之间具备OH‑离子导电率为1×10‑5S/cm以上的层状复氢氧化物层。
-
公开(公告)号：CN103608924B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280018536.5
申请日：2012-04-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/24 , C04B35/453 , C04B35/6262 , C04B35/645 , C04B2235/3244 , C04B2235/3293 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。
-
公开(公告)号：CN103582953B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103582953A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280006660.X
申请日：2012-04-05
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , C01G19/00
CPC classification number: C01G19/00 , C01G19/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/7869
Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。
-
公开(公告)号：CN102084015A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126788.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C21/00 , C23C14/185 , H01B1/023
Abstract: 本发明的目的在于提供具备适合于有机EL的柔软性、可与ITO等的透明电极层直接接合、对于显影液的耐蚀性良好的Al-Ni类合金布线电极材料。本发明采用在铝中包含镍和硼的Al-Ni类合金布线电极材料，镍和硼的总含量为0.35原子％～1.2原子％，其余部分由铝形成。此外，本发明的Al-Ni类合金布线电极材料较好是镍为0.3原子％～0.7原子％，硼为0.05原子％～0.5原子％。
-
公开(公告)号：CN118140007A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202380014138.4
申请日：2023-01-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34 , C01G15/00 , C01G35/00 , C04B35/453 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 本发明的溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素及钽(Ta)元素的氧化物制成，各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子，0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)＜0.4(1)，0.6＜Zn/(In+Zn+Ta)≤0.9(2)，0.001≤Ta/(In+Zn+Ta)＜0.014(3)，所述溅射靶材的相对密度为95％以上，使用该溅射靶材制造上述相同组成的氧化物半导体。
-
公开(公告)号：CN118056282A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202380013886.0
申请日：2023-01-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层。上述氧化物半导体层由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物来形成。添加元素(X)为选自钽即(Ta)元素、锶(Sr)元素和铌(Nb)元素中的至少一种的元素。各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)；0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)；0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。
-
公开(公告)号：CN116194612A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202180059883.1
申请日：2021-08-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物构成。添加元素(X)由选自钽(Ta)、锶(Sr)、铌(Nb)中的至少1种元素构成。溅射靶材的各元素的原子比满足式(1)至(3)。溅射靶材的相对密度为95％以上。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)、0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)、0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.029 seconds)
