公开(公告)号：CN112262114B

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN201980039424.X

申请日：2019-05-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 白仁田亮

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是含有铟、镓和锌的氧化物烧结体，其含有由InGaZnO4或InGaZn2O5表示的同系结构化合物和由ZnGa2O4表示的尖晶石结构化合物，并且抗弯强度为180MPa以上。

公开(公告)号：CN118140007A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202380014138.4

申请日：2023-01-16

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 寺村享祐 ,  白仁田亮 ,  德地成纪

IPC: C23C14/34 ,  C01G15/00 ,  C01G35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素及钽(Ta)元素的氧化物制成，各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部式子，0.1≤(In+Ta)/(In+Zn+Ta)＜0.4(1)，0.6＜Zn/(In+Zn+Ta)≤0.9(2)，0.001≤Ta/(In+Zn+Ta)＜0.014(3)，所述溅射靶材的相对密度为95％以上，使用该溅射靶材制造上述相同组成的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN118056282A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202380013886.0

申请日：2023-01-16

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  寺村享祐 ,  白仁田亮

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，其包括：具有250℃以下的玻璃化转变温度的基材；和在该基材上设置的氧化物半导体层。上述氧化物半导体层由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物来形成。添加元素(X)为选自钽即(Ta)元素、锶(Sr)元素和铌(Nb)元素中的至少一种的元素。各元素的原子比满足式(1)至(3)的全部。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)；0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)；0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。

公开(公告)号：CN116194612A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202180059883.1

申请日：2021-08-02

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 寺村享祐 ,  白仁田亮 ,  德地成纪

IPC: C23C14/34

Abstract: 溅射靶材由包含铟(In)元素、锌(Zn)元素和添加元素(X)的氧化物构成。添加元素(X)由选自钽(Ta)、锶(Sr)、铌(Nb)中的至少1种元素构成。溅射靶材的各元素的原子比满足式(1)至(3)。溅射靶材的相对密度为95％以上。0.4≤(In+X)/(In+Zn+X)≤0.8(1)、0.2≤Zn/(In+Zn+X)≤0.6(2)、0.001≤X/(In+Zn+X)≤0.015(3)。

公开(公告)号：CN112262114A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980039424.X

申请日：2019-05-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 白仁田亮

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 实施方式的一个方案的氧化物烧结体是含有铟、镓和锌的氧化物烧结体，其含有由InGaZnO4或InGaZn2O5表示的同系结构化合物和由ZnGa2O4表示的尖晶石结构化合物，并且抗弯强度为180MPa以上。