公开(公告)号：CN102686767B

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201180005297.5

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种分割溅镀靶，其为在接合多个氧化物半导体靶构件而得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要形成的氧化物半导体的薄膜中。本发明为通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于所接合的靶构件间所形成的间隙存在有覆盖挫曲板表面的低熔点焊料。此外，低熔点焊料的间隙内的厚度优选为靶构件间所形成的间隙深度的10％至70％。

公开(公告)号：CN102686766B

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201180005296.0

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种于接合多个靶构件所得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要成膜的薄膜中的技术。本发明为通过低熔点焊料将多个靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于接合的靶构件间所形成的间隙中充填有陶瓷材料或有机材料。此外，陶瓷材料较佳为与靶构件有相同组成的陶瓷粉或陶瓷纤维，有机材料优选为高电阻物质。

公开(公告)号：CN102626002B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080045816.6

申请日：2010-07-09

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松浦宜范 ,  河合信之 ,  久保田高史

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L51/0045 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/26

Abstract: 本发明涉及用于顶发射型有机EL元件的阳极结构体，其包括层状结构，所述层状结构包括由选自铝、铝合金、银和银合金的至少一种组成的阳极层；和直接设置于所述阳极层上且由具有15at.％或更低的氢浓度的导电无定形碳组成的缓冲层。根据本发明，可提供阳极结构体，所述阳极结构体可在确保适合用于高亮度、高功率效率有机EL元件的阳极的高功函数的同时延长有机EL元件的寿命，且在耐碱性方面也优异。

公开(公告)号：CN103608924A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280018536.5

申请日：2012-04-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  石井林太郎 ,  附田龙马 ,  久保田高史 ,  高桥广己

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6586 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。

公开(公告)号：CN102626002A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201080045816.6

申请日：2010-07-09

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 松浦宜范 ,  河合信之 ,  久保田高史

IPC: H05B33/26 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L51/0045 ,  H01L2251/5315 ,  H05B33/26

Abstract: 本发明涉及用于顶发射型有机EL元件的阳极结构体，其包括层状结构，所述层状结构包括由选自铝、铝合金、银和银合金的至少一种组成的阳极层；和直接设置于所述阳极层上且由具有15at.％或更低的氢浓度的导电无定形碳组成的缓冲层。根据本发明，可提供阳极结构体，所述阳极结构体可在确保适合用于高亮度、高功率效率有机EL元件的阳极的高功函数的同时延长有机EL元件的寿命，且在耐碱性方面也优异。

公开(公告)号：CN102712997A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005295.6

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史 ,  渡边广幸

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明的分割溅镀靶及其制造方法，其提供如下技术：在将多个靶构件接合而得到的分割溅镀靶中，可通过溅镀而有效地防止支承板(backing plate)的构成材料混入成膜的薄膜中。本发明涉及一种分割溅镀靶，为在支承板上，将多个靶构件通过低熔点焊料接合而形成的分割溅镀靶，其特征为沿着接合的靶构件间所形成的间隙，在支承板上设置保护体。

公开(公告)号：CN102686767A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005297.5

申请日：2011-07-13

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 久保田高史

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3407 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种分割溅镀靶，其为在接合多个氧化物半导体靶构件而得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要形成的氧化物半导体的薄膜中。本发明为通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于所接合的靶构件间所形成的间隙存在有覆盖挫曲板表面的低熔点焊料。此外，低熔点焊料的间隙内的厚度优选为靶构件间所形成的间隙深度的10％至70％。

公开(公告)号：CN107829073A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710599096.1

申请日：2017-07-21

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 石田新太郎 ,  久保田高史

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明的圆筒形溅射靶(10)具有多个圆筒形溅射靶材(20)。溅射靶材(20)沿着它们的轴线A方向串联配置。沿着轴线A方向相邻的两个溅射靶材(20)是溅射靶材(20)的相对置的端面(21)彼此呈互补形状。端面(21)呈不具有与溅射靶材(20)的轴线A正交的平面的形状。

公开(公告)号：CN103608924B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201280018536.5

申请日：2012-04-06

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  石井林太郎 ,  附田龙马 ,  久保田高史 ,  高桥广己

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/24 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6586 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是公开一种由Zn氧化物与Sn氧化物所构成的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的代替材料，该氧化物型半导体材料是与IGZO同等以上的10cm2／Vs左右的高载子迁移率，并且不须要高温热处理。本发明为含有Zn氧化物与Sn氧化物的氧化物型半导体材料，其特征是含有Zr以作为掺杂物，Zr含有量为，相对于作为金属元素的Zn、Sn、Zr的各原子数总和的掺杂物的原子比为0.005以下。

公开(公告)号：CN103582953B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280006660.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 德地成纪 ,  石井林太郎 ,  附田龙马 ,  久保田高史 ,  高桥广己

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363 ,  C01G19/00

CPC classification number: C01G19/00 ,  C01G19/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是公开包含Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料(ZTO：Zn-Sn-O系氧化物)，以作为IGZO的替代材料，其是成为与IGZO同等或以上的10cm2/Vs左右的高载体移动性，并且不需高温热处理。本发明的特征是含有Zn氧化物及Sn氧化物的氧化物型半导体材料，且含有Mg、Ca、La、Y中的任一种作为掺杂剂，该掺杂剂含量是相对于作为金属元素的Zn、Sn、掺杂剂的各原子数合计的掺杂剂的原子比为0.09以下。