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公开(公告)号：CN112969581B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN201980073928.3
申请日：2019-11-14
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种层叠体，其即使在低温和高温的任一温度条件下进行热处理也能够抑制剥离层所具有的剥离功能降低。该层叠体具备：载体；密合层，其设置于载体上，包含具有负标准电极电位的金属M1；剥离辅助层，其设置于密合层的与载体相反的面侧，包含金属M2(M2为除碱金属和碱土金属以外的金属)；剥离层，其设置于剥离辅助层的与密合层相反的面侧；以及金属层，其设置于剥离层的与剥离辅助层相反的面侧，其中，剥离辅助层的厚度T2相对于密合层的厚度T1的比即T2/T1大于1且为20以下。
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公开(公告)号：CN111278644A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880070531.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供即使在350℃以上的高温下长时间加热后，也能保持稳定的剥离性的带载体的极薄铜箔。该带载体的极薄铜箔具备：载体，其由玻璃或陶瓷构成；中间层，其设置于载体上，由选自由Cu、Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、In、Sn、Zn、Ga和Mo组成的组中的至少1种金属构成；剥离层，其设置于中间层上，包含碳层和金属氧化物层或者包含金属氧化物和碳；以及，极薄铜层，其设置于剥离层上。
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公开(公告)号：CN114845863B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202180007276.0
申请日：2021-01-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制金属层表面的异物颗粒数而提高电路形成性、且在240℃以上的高温(例如260℃)下长时间加热后也能够保持稳定的剥离性的带载体的金属箔。该带载体的金属箔具备载体、设置在载体上且包含金属氮氧化物的剥离功能层、以及设置在剥离功能层上的金属层。
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公开(公告)号：CN111278644B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201880070531.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供即使在350℃以上的高温下长时间加热后，也能保持稳定的剥离性的带载体的极薄铜箔。该带载体的极薄铜箔具备：载体，其由玻璃或陶瓷构成；中间层，其设置于载体上，由选自由Cu、Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、In、Sn、Zn、Ga和Mo组成的组中的至少1种金属构成；剥离层，其设置于中间层上，包含碳层和金属氧化物层或者包含金属氧化物和碳；以及，极薄铜层，其设置于剥离层上。
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公开(公告)号：CN111511544B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201980006743.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Inventor： 石井林太郎
Abstract: 提供确保铜层整面中的电导通、并且即使小型化铜层在切断部位也不易剥离、容易形成期望的电路图案、而且能够理想地实现细间距的电路安装基板的带玻璃载体的铜箔。该带玻璃载体的铜箔具备：玻璃载体、设置于玻璃载体上的剥离层、和设置于剥离层上的铜层。剥离层具有能够使玻璃载体与铜层彼此剥离的功能，带玻璃载体的铜箔具有：存在剥离层的多个可剥离区域、和不存在剥离层的不能剥离区域，不能剥离区域被设置成划分多个可剥离区域的图案状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114845863A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202180007276.0
申请日：2021-01-21
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制金属层表面的异物颗粒数而提高电路形成性、且在240℃以上的高温(例如260℃)下长时间加热后也能够保持稳定的剥离性的带载体的金属箔。该带载体的金属箔具备载体、设置在载体上且包含金属氮氧化物的剥离功能层、以及设置在剥离功能层上的金属层。
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公开(公告)号：CN116583006A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310435041.2
申请日：2018-12-03
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明涉及带载体的铜箔。提供即使在350℃以上的高温下长时间加热后，也能保持稳定的剥离性的带载体的极薄铜箔。该带载体的极薄铜箔具备：载体，其由玻璃或陶瓷构成；中间层，其设置于载体上，由选自由Cu、Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、In、Sn、Zn、Ga和Mo组成的组中的至少1种金属构成；剥离层，其设置于中间层上，包含碳层和金属氧化物层或者包含金属氧化物和碳；以及，极薄铜层，其设置于剥离层上。
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公开(公告)号：CN107078316B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201580052353.9
申请日：2015-12-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M8/0217 , C04B35/50 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01M8/1246
Abstract: 为了提供一种新的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该取向性磷灰石型氧化物离子导体可以抑制裂纹的产生而实现大面积化，优选通过不复杂的工艺低成本地进行制造，从而提出了一种由复合氧化物构成的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该复合氧化物的特征在于，其由A9.33+x[T6‑yMy]O26.00+z(式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素。式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素。式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素。)表示，式中的x为‑1～1，式中的y为1～3，式中的z为‑2～2，A的摩尔数相对于M的摩尔数的比例(A/M)为3～10。
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公开(公告)号：CN107078316A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580052353.9
申请日：2015-12-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01M8/0217 , C04B35/50 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01B13/00 , H01M8/1246
Abstract: 为了提供一种新的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该取向性磷灰石型氧化物离子导体可以抑制裂纹的产生而实现大面积化，优选通过不复杂的工艺低成本地进行制造，从而提出了一种由复合氧化物构成的取向性磷灰石型氧化物离子导体，该复合氧化物的特征在于，其由A9.33+x[T6‑yMy]O26.00+z(式中的A为选自由La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或两种以上的元素。式中的T为Si或Ge或包含其两者的元素。式中的M为选自由B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或两种以上的元素。)表示，式中的x为‑1～1，式中的y为1～3，式中的z为‑2～2，A的摩尔数相对于M的摩尔数的比例(A/M)为3～10。
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