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公开(公告)号：CN114630921B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202080076435.8
申请日：2020-08-06
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明涉及由层叠结构构成的间隙配置部件，提供不易因加热而发生层间剥离的新型的间隙配置部件。本发明的间隙配置部件的特征在于，其是在溅射靶的基材(简称为“基材”)的表面侧配置多个靶部件时，沿着相邻的靶部件之间的间隙、介于上述靶部件与基材之间的间隙配置部件，其中，上述间隙配置部件形成在厚度方向上层叠三层以上而成的多层结构，在靶部件侧的层(也称为“表面层”)与基材侧的层(也称为“背面层”)之间具有中间层，构成上述中间层的材料的线膨胀系数在构成上述表面层的材料的线膨胀系数与构成上述背面层的材料的线膨胀系数之间的范围内。
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公开(公告)号：CN101258584A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680032984.5
申请日：2006-12-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率、提高图案化特性的氧化锌系透明导电膜的图案化的方法。通过蚀刻以氧化锌作为主成分、含有从周期表第IV族的元素中选择的至少1种的添加元素的氧化锌系透明导电膜图案化时，在上述蚀刻工序之前利用水处理上述氧化锌系透明导电膜。
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公开(公告)号：CN110741106A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880038930.2
申请日：2018-07-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明为一种氧化物烧结体，其中，构成元素为In、Sn、Ti及O，In的含有比率以In2O3换算计为88.0～98.2质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为1.0～8.0质量％，Ti的含有比率以TiO2换算计为0.8～4.0质量％。通过本发明的氧化物烧结体，能够得到可成膜出即使不进行高温的热处理也能够得到透明性高的透明导电膜、进而电阻低的透明导电膜的薄膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN110546299A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027424.3
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的透明导电膜用溅射靶由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，或者为In、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计为70.0质量％以上且小于85.0质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为0质量％以上且10.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计大于15.0质量％且为20.0质量％以下，在上述溅射靶的X射线衍射测定中，Si全部以具有钪钇石型结构的硅酸铟化合物的峰的形式表现。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，结瘤和电弧的产生少。另外，通过溅射，能够成膜成具有高的膜电阻率和高的蚀刻加工性的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN110546300B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201880027441.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计大于25.0质量％且为82.0质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为15.0质量％以上且65.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为3.0质量％以上且小于10.0质量％。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，通过溅射，能够形成具有高的膜电阻率和高耐化学试剂性的透明导电膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113811633A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080035149.7
申请日：2020-07-30
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供在溅射处理时可抑制背板的构成材料混入到成膜的薄膜中的分割溅射靶。[解决手段]所述分割溅射靶具备：基体；相邻的靶构件彼此空开间隙地被配置于上述基体的表面上的多个靶构件；设置于上述基体的表面与上述多个靶构件之间的接合材；和保护构件，其按照下述方式被设置于上述基体的表面上：至少覆盖彼此相邻的靶构件的间隙，以使上述基体表面不会从上述间隙被溅射，其中，上述保护构件具有：沿第1方向延伸的第1部分；沿与上述第1方向交叉的方向延伸的第2部分；和连接上述第1部分及上述第2部分的第3部分。
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公开(公告)号：CN110546300A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027441.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种透明导电膜用溅射靶，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体的构成元素为In、Sn、Si和O，In的含有比率以In2O3换算计大于25.0质量％且为82.0质量％以下，Sn的含有比率以SnO2换算计为15.0质量％以上且65.0质量％以下，Si的含有比率以SiO2换算计为3.0质量％以上且小于10.0质量％。本发明的导电膜形成用溅射靶的电阻率低，能够进行DC溅射，通过溅射，能够形成具有高的膜电阻率和高耐化学试剂性的透明导电膜。
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公开(公告)号：CN101437922B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780016693.1
申请日：2007-05-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , C09K11/7734 , H01L33/502 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供一种白色荧光体，该白色荧光体由单一材料构成，发光中心为除Mn以外的一种元素，在近紫外光激发下能够发出显色性优异的白色光。该白色荧光体的特征在于，其以式SraSbMgcZndSieOf:Eu2+(其中，e＝1时，0
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公开(公告)号：CN102084015A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126788.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 三井金属矿业株式会社
CPC classification number: C22C21/00 , C23C14/185 , H01B1/023
Abstract: 本发明的目的在于提供具备适合于有机EL的柔软性、可与ITO等的透明电极层直接接合、对于显影液的耐蚀性良好的Al-Ni类合金布线电极材料。本发明采用在铝中包含镍和硼的Al-Ni类合金布线电极材料，镍和硼的总含量为0.35原子％～1.2原子％，其余部分由铝形成。此外，本发明的Al-Ni类合金布线电极材料较好是镍为0.3原子％～0.7原子％，硼为0.05原子％～0.5原子％。
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公开(公告)号：CN100543943C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200680032984.5
申请日：2006-12-22
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供可以调整氧化锌系透明导电膜的蚀刻速率、提高图案化特性的氧化锌系透明导电膜的图案化的方法。通过蚀刻以氧化锌作为主成分、含有从周期表第IV族的元素中选择的至少1种的添加元素的氧化锌系透明导电膜图案化时，在上述蚀刻工序之前利用水处理上述氧化锌系透明导电膜。
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