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公开(公告)号：CN110741106A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880038930.2
申请日：2018-07-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明为一种氧化物烧结体，其中，构成元素为In、Sn、Ti及O，In的含有比率以In2O3换算计为88.0～98.2质量％，Sn的含有比率以SnO2换算计为1.0～8.0质量％，Ti的含有比率以TiO2换算计为0.8～4.0质量％。通过本发明的氧化物烧结体，能够得到可成膜出即使不进行高温的热处理也能够得到透明性高的透明导电膜、进而电阻低的透明导电膜的薄膜的溅射靶。
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